166–173 НАНОРАЗМЕРНЫЕ И НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ПОКРЫТИЯ УДК 547.245:541.64 ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА НАНОКОМПОЗИТНЫХ ПЛЕНОК ОКСИКАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ НА ИХ СОСТАВ И МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА © 2017 г. Н. <...> Лаврентьева, 13/3 *E-mail: nadezhda@niic.nsc.ru Поступила в редакцию 23.06.2016 г. Диэлектрические пленки гидрогенизированного оксикарбонитрида кремния SiCxNyOz : H получены с помощью плазмохимического осаждения из газовых смесей 1,1,1,3,3,3-гексаметилдисилазана (ГМДС) или 1,1,3,3-тетраметилдисилазана (ТМДС) с кислородом и азотом в температурном интервале 373–973 K. <...> Изучено влияние условий синтеза на химический и фазовый состав пленок, в аморфной части которых распределены нанокристаллы, принадлежащие фазам системы Si–C–N : α-Si3N4, α-Si3 – xCxN4 и графита. <...> Метод наноиндентирования использован для измерения твердости и модуля Юнга. <...> Изучено влияние температуры синтеза и соотношения азота к кислороду в исходных газовых смесях ГМДС + O2 + xN2 и ТМДС + O2 + xN2 на величину твердости и модуля Юнга полученных пленок SiCxNyOz : H. <...> Максимальные полученные значения этих величин составили 20.4 и 201.5 ГПа, соответственно. <...> DOI: 10.7868/S0044185617020097 ВВЕДЕНИЕ В последние годы информация о получении диэлектрических пленок SiCxOyNz приводилась в работах нескольких исследовательских групп, которые, в основном, синтезировали их с помощью химического осаждения из газовой фазы при низком давлении (LPCVD) [1] и различных методов плазменно-химического осаждения (PECVD) [2]. <...> Для получения пленок оксинитрида кремния широко используются также газовые смеси на основе хлорсилана, силана и метилсилазана и закиси азота (N2O) [3–5]. <...> Пленки оксикарбонитрида кремния высокопрозрачны в широкой спектральной области (180– 3500 нм) и рассматриваются как перспективные пленочные материалы в нескольких технологических областях: микроэлектронике, оптоэлектро, нике и фотонике [7–9]. <...> Растущая потребность сохранения энергии в малых объемах способствовала многочисленным исследованиям в химическом материаловедении <...>