88–93 ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ УДК 621.382 ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЛИЯНИЯ ПЕРЕПАДОВ ТЕМПЕРАТУРЫ И ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ HEMT-ТРАНЗИСТОРОВ © 2017 г. А. <...> ВВЕДЕНИЕ На сегодняшний день экспериментальное подтверждение влияния параметров эксплуатации и внешних воздействий на работу гетероструктурных СВЧ-транзисторов продолжает оставаться сложной, трудоемкой и затратной процедурой [1]. <...> Использование методов математического моделирования, базирующихся на многомерных численных моделях расчета транспорта носителей, тепловых процессов и динамических характеристик, позволяет дополнить, проверить и объяснить существующие экспериментальные данные, а также предсказать поведение приборных структур при изменении параметров, которые затруднительно экспериментально воспроизвести. <...> Такие возможности открывает использование современных пакетов численного моделирования полупроводниковых приборов [2]. <...> Однако оптимальный выбор и эффективное использование того или иного пакета возможны только после верификации его возможностей для решения определенного класса задач, что требует получения параметров используемых моделей с учетом свойств конкретного объекта моделирования. <...> Исследование с помощью математического моделирования гетероструктур, представленных в работе, может быть полезно для создания излучательных приборов нового поколения на ос88 нове нитридов III группы. <...> Более ясное понимание процессов, происходящих в таких системах, дает дополнительные возможности для зонной инженерии нитридных гетероструктур при создании светодиодов и лазеров. <...> В рамках настоящей работы проводилось численное моделирование влияния некоторых параметров эксплуатации и внешних воздействий на вольт-амперную характеристику (ВАХ) полевых СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN (High Electron Mobility Transistor) (HEMТ). <...> Необходимость прогнозирования <...>