УДК 620.179.18 КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПО СПЕКТРАМ ОТРАЖЕНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ В ШИРОКОМ ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР Д.А. <...> Усанов, А.Э. Постельга, К.А. Гуров Показана возможность определения толщины, электропроводности, эффективной массы, коэффициентов рассеяния носителей заряда, концентрации и энергии активации примеси полупроводниковых слоев по результатам измерения частотной зависимости коэффициента отражения электромагнитного сверхвысокочастотного (СВЧ) излучения при различных температурах. <...> Ключевые слова: полупроводник, электропроводность, толщина слоя, энергия активации примеси, эффективная масса, концентрация примеси, коэффициенты рассеяния, сверхвысокочастотное излучение. <...> ВВЕДЕНИЕ Для определения электропроводности и толщины диэлектрических и полупроводниковых материалов и структур могут быть использованы результаты измерения спектров отражения взаимодействующего с ними сверхвысокочастотного излучения при условии, что известно их теоретическое описание и возможно решение соответствующей обратной задачи [1]. <...> С учетом известных соотношений для температурной зависимости электропроводности полупроводниковых слоев в [2], в частности, была показана возможность одновременного измерения наряду с электропроводностью и толщиной энергии активации примеси. <...> Так как может существовать несколько сочетаний значений указанных параметров, для которых при фиксированной температуре наблюдается одинаковая частотная зависимость коэффициента отражения СВЧ-излучения, измерение спектров необходимо проводить в интервале температур, что позволит однозначно определить набор искомых параметров. <...> Метод, описанный авторами [2], обладает такими недостатками, как невозможность определения наряду с электропроводностью, толщиной и энергией активации примеси эффективной массы носителей заряда m* a, концентрации легирующей примеси N полупроводникового слоя, а также необходимость достижения <...>