Rv Влияние параметров мезаструктуры на дефектность матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия А. Н. Гришина, П. В. Власов, В. В. Ерошенков, А. А. Лопухин Проведено исследование влияния параметров мезаструктуры на дефектность матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия на область спектра 3ч5 мкм формата 320 256 элементов с шагом 30 мкм. <...> Получены зависимости одноточечной дефектности и «стойкости» (стабильности токов p–n-переходов в диапазоне рабочих обратных напряжений смещения) от скорости травления антимонида индия, глубины мезаструктур и расстояния между ними в МФЧЭ (матричных фоточувствительных элементах). <...> Определен оптимальный угол наклона стенок мезаструктуры – не более 38 градусов. <...> Введение Матричные фотоприемные устройства (МФПУ) на основе антимонида индия (InSb) находят широкое применение в тепловизионных и теплопеленгационных системах, работающих в средневолновом ИК-диапазоне [1]. <...> В АО «НПО «Орион» разработаны и серийно выпускаются матричные фотоприемные устройства на основе антимонида индия формата 320256 элементов с шагом 30 мкм [2] и формата 640Ч512 элементов с шагом 15 мкм [3]. <...> В работе [4] было установлено, что основными причинами возникновения фотодиодов с токами утечки являются: плотность дислокаций исходных слитков антимонида индия, качество обработки пластин после резки слитков и погрешности технологии изготовления МФЧЭ (вследствие чего, как правило, образуются дефектные кластеры), включая технологию травления мезы. <...> Результаты исследования Для оценки дефектности матрицы гибридизировались индиевыми микроконтактами с БИС считывания формата 320256 элементов [5, 6]. <...> В качестве критерия уровня дефектности выбрано, во-первых, количество единичных дефектных фотодиодов с токами утечки. <...> Под единичными подразумеваются те элементы, которые не сгруппированы в дефектные кластеры. <...> Вторая характеристика дефектности связана с тем, как элементы держат обратное <...>