УДК 621.3.049.77 Анализ влияния температуры на электрофизические характеристики комплементарной пары вертикальных биполярных транзисторов М. <...> Калинин1 1Новосибирский государственный технический университет, г. Новосибирск, Россия 2Сибирский государственный университет информатики и телекоммуникаций, г. Новосибирск, Россия Analysis of Influence of Temperature on Electrophysical Characteristics of Characteristics of Complementary Pair of Vertical Bipolar Transistors M.O. <...> Kalinin1 1Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia 2Siberian State University of Informatics and Telecommunications, Novosibirsk, Russia В рамках термодинамической и диффузионно-дрейфовой моделей численным методом исследовано влияние температуры на электрофизические параметры комплементарной биполярной пары вертикальных транзисторов. <...> Показано преимущество термодинамической модели, учитывающей при анализе мощных транзисторов эффекты, связанные с саморазогревом. <...> Результаты моделирования сопоставлены с экспериментальными характеристиками тестовых структур. <...> Сравнение показало, что для таких электрофизических параметров, как коэффициент усиления по току β и напряжение Эрли VA, отличие не превышает 15 %, а для критического параметра напряжение пробоя коллектор–эмиттер VCE0 не превышает 2 %. <...> Ключевые слова: комплементарные n–p–n- и p–n–p-вертикальные транзисторы; TCAD Sentaurus; термодинамическая модель; напряжение пробоя коллектор – эмиттер; напряжение Эрли; коэффициент усиления по току. <...> The influence of temperature on the most important of the electrical parameters of the complementary bipolar pair of vertical transistors has been numerically investigated as a part of the thermodynamic and drift-diffusion models. <...> The advantage of the thermodynamic model while analyzing the highpower transistors, as the thermodynamic model takes into account the selfheating effect, has been shown. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 1 2017 41 М.О. Храпов, А.В. Глухов, В.А. Гридчин, С.В. Калинин Keywords: CB-technology; silicon complementary VNPN and VPNP transistors; thermodynamic model; breakdown voltage of collector – emitter VCE0; current amplification factor β; 2D-simulation; TCAD Sentaurus. <...> Аналоговые интегральные схемы – главный структурный компонент различных <...>