Кафедре микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ — 50 лет УДК 621.3.049.77 ВЛИЯНИЕ ФЛУКТУАЦИЙ ИОНИЗАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ НА ВЕРОЯТНОСТЬ СБОЯ В ЭЛЕМЕНТАХ ПАМЯТИ EFFECT OF ENERGY-LOSS FLUCTUATIONS ON SINGLE EVENT UPSET PROBABILITY Зебрев Геннадий Иванович д-р техн. наук, доцент кафедры Е-mail: gizebrev@mephi.ru Елушов Илья Владимирович аспирант Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва кафедра микро- и наноэлектроники Аннотация: Показано, что разброс энерговыделения при ионизации может приводить к увеличению вероятности сбоев в ячейке памяти. <...> Ключевые слова: одиночные радиационные эффекты, линейная передача энергии, флуктуация, ячейка памяти, сбой. <...> Graduate Student National Research Nuclear University “MEPHI”, Moscow Department of micro- and nanoelectronics Abstract: It is shown that energy-loss fluctuation can increase the probability of single event upset rate in the memory cell. <...> ВВЕДЕНИЕ Проблема сбоев и отказов элементов микроэлектроники, вызванных отдельными частицами космического спектра (так называемыми одиночными радиационными эффектами (ОРЭ), международный термин Single Event Effects (SEE)), которые составляют от 25 до 35 % всех квалифицированных отказов космических аппаратов (КА), становится в последнее время доминирующей проблемой обеспечения надежности бортовой аппаратуры КА. <...> Эти эффекты вызываются воздействием космических лучей солнечного и галактического происхождения и естественных радиационных поясов Земли, а именно, протонами и тяжелыми ионами высоких энергий [1]. <...> Во-первых, защита от высокоэнергетичных космических частиц не только является неэффективной, но и усугубляет ситуацию из-за эффекта генерации вторичных частиц. <...> Во-вторых, с уменьшением размеров микроэлектронных компонентов эффекты деградации, обусловленные полной дозой облучения, как правило, уменьшаются, а уязвимость элементов к одиночным радиационным эффектам только возрастает. <...> Последнее связано с тем, что уменьшение напряжения питания и эффективных емкостей компонентов при миниатюризации приводит к снижению помехоустойчивости <...>