Кафедре микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ — 50 лет а также по заданной зависимости температуры кристалла от времени, численно оценить срок работоспособности БТ в условиях космического пространства. <...> Recent advances in understanding total-dose effects in bipolar transistors // IEEE Trans. <...> The conversion model of low dose rate effect in bipolar transistors // RADECS 2009, Conference Proceedings. <...> Conversion model of enhanced low dose rate sensitivity in bipolar ICs // Russian Microelectronics. <...> Touboul, The use of a dose-rate switching technique to characterize bipolar devices // IEEE Trans. <...> УДК 621.3.049.77:000.93 НА ПУТИ К “УМНОЙ” И “РАЗУМНОЙ” ПАМЯТИ: БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ПРОЦЕССОРНО-ОРИЕНТИРОВАННАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ “УМНОЙ” ПАМЯТИ BASIC CRYSTALS AND CPU-ORIENTED ORGANIZATION “SMART” MEMORY Лапшинский Валерий Алексеевич канд. техн. наук, доцент кафедры. <...> E-mail: valnano.e@gmail.com Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва кафедра микро- и наноэлектроники Аннотация: Представлены история и результаты пионерских научных разработок кафедры микроэлектроники МИФИ в области архитектуры “умной” памяти в 1970—80 гг. <...> Рассмотрены особенности процессорно-ориентированной организации и базовых кристаллов оперативной памяти (ОЗУ), их достоинства и недостатки. <...> Дана современная оценка прогноза развития интегральных микросхем (ИМС) “умной” памяти, сделанного в конце 1970-х годов. <...> Ключевые слова: элементы памяти микросхем ОЗУ на биполярных транзисторах, базовые кристаллы памяти с перестроением организации статического и динамического типов, процессорно-ориентированная память, саморегенерация, самотестирование, коррекция ошибок, резервирование, прогноз развития архитектуры “умных” ИМС Lapshinsky Valery A. Ph. <...> Датчики и Системы · ¹ 1.2015 81 Кафедре микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ — 50 лет ВВЕДЕНИЕ. <...> ПРЕДЫСТОРИЯ РАЗРАБОТОК Одним из считавшихся перспективным направлений научных разработок на кафедре микроэлектроники МИФИ, созданной в 1965 г., было исследование и разработка ИМС на биполярных приборах, в частности, на тиристорах различного назначения, в том числе для полупроводниковой памяти [1—3]. <...> Правда, особым <...>