Силовая электроника, № 1’2017 Поскольку напряжение «затвор–эмиттер» VGE’ не может быть измерено непосредственно на чипе, оно получено путем моделирования, результаты которого представлены на рис. <...> Внешний резистор затвора для режима включения и выключения (RG = 1 Ом) выбран из спецификации модуля. <...> Тесты показывают, что эффект Миллера является доминирующим фактором влияния на цепь затвора модулей с внутренними резисторами RGint. <...> По этой причине эффект от действия паразитных индуктивностей в данном случае не рассматривался. <...> 14 (справа) показаны эпюры тока коллектора IC Т1 и напряжения «коллектор– эмиттер» VCE Т2 при включении транзистора Т1. <...> Характер кривой VCE Т2 определяется диодом D2: при нарастании на нем обратного напряжения уровень сигнала VCE Т2 увеличивается в той же степени. <...> Одновременно, из-за наличия емкости Миллера у транзистора Т2, возникает ток смещения, проходящий в направлении затвора. <...> В результате растет напряжение управления, что приводит к ложному включению Т2. <...> При этом возникает сквозной ток в цепи от VCC+ к VCC– и увеличиваются потери энергии на транзисторах Т1 и Т2. <...> Ложное срабатывание IGBT Т2 видно на кривой коллекторного тока IC Т1. <...> Затененная область, соответствующая фазе спада обратного тока диода, определяет длительность паразитного включения Т2. <...> 15 представлено напряжение «затвор– эмиттер» IGBT Т2 без внешней затворной емкости CGext (слева) и при CGext = 10 нФ (справа). <...> Моделирование показывает, что измерение «внешнего» значения VGE не дает информации о причине паразитного включения, которое является следствием повышения «внутреннего» напряжения VGE’. <...> Это связано с соотношением номиналов внешнего RG и внутреннего RGint сопротивления затвора. <...> Поскольку через них проходит один и тот же ток, уровень сигнала на RGint значительно больше, чем на RG. <...> Принцип использования внешних затворных емкостей для уменьшения влияния эффекта Миллера, продемонстрированный на примере MiniSKiiP 24NAB12T4V1, оказался малоэффективным <...>