АВТОМАТИЗАЦИЯ ИНЖЕНЕРНОГО ТРУДА УДК 519.2:541.1 Г.А. Тарнавский, д-р физ.-мат. наук (Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, Новосибирск, e-mail: Gennady.Tarnavsky@gmail.com) ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ СО СЛОЖНЫМ НАНОРЕЛЬЕФОМ ПОВЕРХНОСТИ (ВОЗМОЖНОСТИ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА) Продолжение* G.A. <...> DOPING IN SILICON WAFER NANORELIEF (COMPUTATIONAL EXPERIMENT POSSIBILITIES) Continuation* Допинг донорных и акцепторных примесей: сравнительный анализ Проведем анализ результатов имплантации примесей акцепторного (бор B) и донорных (фосфор P, мышьяк As) типов в подложку кремния Si с непланарной поверхностью при равных значениях всех определяющих параметров. <...> 7, 8 показаны распределения концентрации B (а), P (б) и As (в) при следующих значениях параметров технологического процесса – дозе имплантации ID = 1015 см–3, энергии имплантации° EI = 5 эВ и прицельном угле ° имплантации α =I 30 (рис. <...> При большом значении Iα в нанорельефе поверхности имеются весьма протяженные теневые зоны, существенно большие, чем при небольших значениях Iα . <...> 7, а), особенно в правом сегменте нанорельефа, являются наиболее обширными и «размытыми» с максимумом около * Начало см. в СИЖ 1, 2012 г. Справочник. <...> 7, б) занимают промежуточное положение между доменами B и As: по форме они ближе к B-доменам, но узколокализованы как As-домены. <...> Максимумы концентрации P располагаются в двух зонах с центрами (55, 35) и (78, 30) и примерно равны 1,6 10 21 ⋅ Результаты процесса легирования под высоким прицельным углом ° α =I 60 (рис. <...> Как анализировалось выше, при увеличении Iα , при остальных равных параметрах, глубина внедрения имплантанта уменьшается. <...> Допинг-домен B с максимумом концентрации изменил дислокацию с правого сегмента нанорельефа на его центральный выступ. <...> «Легирование кремниевой пластины со сложным нанорельефом поверхности» Рис. <...> Имплантация бора B, фосфора P и мышьяка As в подложку кремния Si с непланарной поверхностью. <...> Распределения концентраций B (а), P (б) и As (в) в Si при значении прицельного угла <...>