Представлены новые экспериментальные данные о влиянии одноосного сжатия до 4 кбар вдоль кристаллографических направлений [110] и [110] на спектры электролюминесценции и вольт-амперные характеристики диодов на основе гетероструктур n-k\ xGa \-x Ks/Gaks yP \-y f p-PAxGa \-x As (// = 0.84), разработанных для инжекционных лазеров. <...> С ростом давления спектры демонстрируют сдвиг в коротковолновую область, достигающий 25 мэВ при 3 кбар, а также рост интенсивности в 2-3 раза. <...> Проведены численные расчеты зонной структуры исследованных гетероструктур при сжатии вдоль оси [110], которые указывают на возрастание эффективной ширины запрещенной зоны в квантовой яме GaAs^Pi-^ с барическим коэффициентом порядка 8.5 мэВ/кбар и уменьшение высоты барьеров на границах квантовой ямы. <...> Расчеты предсказывают возможность пересечения зон (crossover) легких и тяжелых дырок при давлениях выше 4.5-5 кбар. <...> Возрастание эффективной ширины запрещенной зоны полностью описывает экспериментальные данные о сдвиге спектров электролюминесценции, а смешивание состояний легких и тяжелых дырок при приближении к точке пересечения зон является вероятной причиной роста интенсивности излучения при одноосном сжатии! <...>