№ 5 Влияние внешнего электрического поля на оптические свойства квантовой молекулы с резонансным u-состоянием D− 2 -центра В. <...> E-mail: a vlchzh@gmail.com, b physics@pnzgu.ru Статья поступила 17.06.2013, подписана в печать 28.06.2013. на вероятность излучательного перехода электрона с резонансного u-состояния в локализованное g-состояние D− излучательного перехода возрастает примерно на два порядка при напряженности внешнего электрического поля, для которой исходно асимметричный двухъямный осцилляторный потенциал, моделирующий квантовую молекулу, становится симметричным. <...> Ключевые слова: квантовая молекула, вероятность излучательного перехода, внешнее электрическое поле, диссипативное туннелирование. <...> Введение В последние годы развитие техники двойного селективного легирования стимулировало интерес к оптическим свойствам полупроводниковых наноструктур, содержащих H−-подобные примесные центры и их молекулярные комплексы. <...> В объемных слабокомпенсированных полупроводниках такие примесные центры были обнаружены более 40 лет назад (обзор дан в [3]). <...> Было показано [3], что в системе нейтральных и заряженных примесных центров в объемных полупроводниках возможны, в частности такие формы локализации электронов, как изолированные H−-подобные центры и примесные молекулярные комплексы H− концентрации нейтральных примесей, когда расстояние между нейтральными атомами становится достаточно малым и носитель заряда (электрон или дырка) обобществляется. <...> Последние образуются вследствие роста но-связанных КТ (квантовых молекул (КМ)) необходимо учитывать то обстоятельство, что физика и химия электронных процессов в наномасштабах имеют много общего. <...> Это дает возможность рассматривать физику распада D− с позиций многомерного диссипативного туннелирования, которое может происходить во многих химических реакциях [4–19]. <...> Важным достоинством использования инстантонных подходов является то, что в сочетании с моделью потенциала <...>