№ 4 Влияние локальных фононных мод широкозонной матрицы на туннельные ВАХ квазинульмерных структур В. <...> Представлены результаты эксперимента по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs(001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии в сверхвысоком вакууме. <...> Предложена модель 1D-диссипативного туннелирования для интерпретации обнаруженных в эксперименте особенностей туннельных вольт-амперных характеристик контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки. <...> Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. <...> Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки InAs/GaAs(001). <...> Ключевые слова: квантовое туннелирование с диссипацией, квантовая точка, туннельные ВАХ. <...> Введение Методы сканирующей зондовой микроскопии, в том числе сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) широко применяются для исследования морфологии, атомной структуры и энергетического спектра квантоворазмерных полупроводниковых структур [1–22]. <...> Метод СТМ на поперечных сколах в сверхвысоком вакууме (СВВ) был применен для измерения локальной плотности состояний (ЛПС) в квантовых ямах (см., например, [10]). <...> Настоящая работа была инициирована экспериментом, проведенным в Казанском физико-техническом институте им. <...> Е.К. Завойского Казанского научного центра РАН по измерению туннельных ВАХ полупроводниковых квантовых точек (КТ) InAs/GaAs(001), где были обнаружены несколько неэквидистантных пиков, интерпретированных нами ранее в рамках модели 1D-диссипативного туннелирования с учетом одной локальной фононной моды [11]. <...> В настоящей статье выдвинуто и теоретически обосновано <...>