№ 1 Влияние эффекта Рамзауэра на частоту упругих столкновений в плазме индуктивного ВЧ-разряда в инертных газах Е.А. Кралькинаa , П.А. Неклюдоваb , В.Б. Павловc , К.В. Вавилин Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. <...> Представлены результаты исследования механизма поглощения ВЧ-мощности плазмой индуктивстот столкновений 3 · 106–3 · 107 с−1 значения эквивалентного сопротивления плазмы и энерговклад в плазму определяются величинами частоты столкновений и концентрации электронов в области скин-слоя и в пределах ошибки эксперимента не зависят от рода газа. <...> При достижении температуры ного ВЧ-разряда, приведены зависимости частоты столкновений электронов с атомами инертных газов (гелий, неон, аргон, криптон) от давления в плазме индуктивного ВЧ-разряда. <...> В диапазоне чаэлектронов ∼ 1 эВ энергия основной массы электронов находится в области рамзауэровского минимума сечений упругих столкновений. <...> Это приводит к понижению частоты упругих столкновений тяжелых инертных газов по сравнению с гелием. <...> Ключевые слова: ВЧ-разряд, индуктивный ВЧ-разряд, энергетическое распределение электронов, концентрация электронов, эффективная температура электронов, частота упругих столкновений электронов, столкновительный механизм, эффект Рамзауэра, эквивалентное сопротивление плазмы. <...> Очевидно, что фундаментальной базой работы по оптимизации энерговклада в плазму индуктивного ВЧ-разряда является детальное исследование механизмов и закономерностей поглощения ВЧ-мощности плазмой. <...> В работах [1, 2] показано, что при давлениях, превышающих 1 мторр, определяющий вклад в поглощение мощности плазмой индуктивного ВЧ-разряда вносит столкновительный механизм. <...> При этом одним из основных факторов, определяющих эффективность поглощения ВЧ-мощности, является частота упругих столкновений электронов с тяжелыми частицами. <...> Настоящая работа посвящена <...>