ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.315.592 Фотоприемники для ультрафиолетового и видимого диапазонов на основе кристаллов моноселенида галлия А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева, Н. А. Рагимова, Э. А. Расулов Экспериментально исследовано влияние легирование редкоземельным элементом диспрозием Dy на фотопроводимость монокристаллов селенида галлия p-GaSe. <...> Установлено, что при определенных содержаниях введенной примеси (N = 10-2ч10-1 ат. %) наблюдаются наиболее стабильные фотоэлектрические параметры и характеристики этого полупроводника. <...> Полученные результаты объясняются на основе двухбарьерной энергетической модели пространственно-неоднородного полупроводника и показано, что монокристаллы p-GaSe<Dy> могут быть пригодными материалами для создания широкополосных фотоприемников света в ульрафиолетовом и видимом диапазонах оптического спектра. <...> Введение Монокристаллы селенида галлия p-GaSe являются одним из перспективных материалов для оптоэлектроники, поскольку они обладают высокой фоточувствительностью в ближнем ультрафиолетовом (УФ) и в видимом диапазонах оптического спектра (0,25 0,75 мкм) при температурах вплоть до 350 К, причем в сочетании с другими уникальными электронными свойствами, например, со слоистостью кристаллической структуры [1, 2]. <...> Накопленная к настоящему времени информация о фотоэлектрических свойствах этого полупроводника свидетельствует о том, что на основе его можно создать фотоприемники, не требующие Абдинов Ахмед Шахвелед оглы, профессор, зав. <...> E-mail: Babaeva-Rena@yandex.ru Статья поступила в редакцию 27 июня 2016 г. © Абдинов А. Ш., Бабаева Р. Ф., Рагимова Н. А., Расулов Э. А., 2016 специального охлаждения (фоторезисторы, фотодиоды с гетеропереходом, фотоэлектрические приемники с S-образной ВАХ, элементы фотоэлектрической и спектральной памяти, фототриггеры, накопители воздействия последовательных слабых световых сигналов и т.д. <...> . Однако относительно низкая степень стабильности и воспроизводимости фотоэлектрических <...>