ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383:621.315.5 Использование тонких пленок SiO2 для формирования охранного кольца в лавинных фотодиодах на основе InGaAs/InP А. К. <...> Будтолаев, П. Е. Хакуашев, И. В. Чинарева, Л. А. Косухина Для предотвращения раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе InGaAs/InP часто используют структуру p–n-перехода с заглубленной центральной областью и мелкой периферией. <...> В статье говорится о p–n-переходе с разными глубинами залегания, полученного одностадийной диффузией. <...> Такой переход получается при прохождении примеси через плёнку SiO2 определённой толщины. <...> Результаты исследований показали, что образцы с плёнкой SiO2, выращенной пиролитическим методом при T = 250 К, имеют лучше характеристики по сравнению с остальными. <...> Уменьшая температуру пиролитического осаждения SiO2, можно улучшить C-V характеристики. <...> Введение Для предотвращения раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе InGaAs/InP часто используют структуру p–n-перехода (рис. <...> 1) с заглубленной центральной областью и мелкой периферией [1]. <...> В нескольких работах сообщается об одновременном получении p–n-перехода на разной глубине путем одностадийной диффузии или имплантации. <...> Это происходит за счет использования тормозной способности пленки SiO2 [28] в случае ионной имплантации бериллия или различия коэффициентов диффузии в тонкой пленке SiO2 при диффузии цинка (Zn). <...> Наиболее полно изучены закономерности диффузии Zn в системе SiO2 – GaAs в широком интервале условий диффузии, причем опытным путём определен коэффициент диффуБудтолаев Андрей Константинович, ведущий инженертехнолог. <...> Коэффициент диффузии в пленке сравним с коэффициентом диффузии в GaAs и определяется выражением из работы [9]: DSiO2 = 15 exp (–2,49/kT) (1) где k = 8,610-5 эВ/К постоянная Больцмана, T — абсолютная температура в К. p-contact metallization p+ p+ i-InP cap n-InP field control n-InGaAsP grading n+-InP buffer i-InGaAs absorption n+-InP substrate Рис. <...> Соответственно толщина d для SiO2 должна быть такой, чтобы обеспечить разницу <...>