Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки  / №2 2014

ВЛИЯНИЕ ПРОМОТИРУЮЩИХ ФОНОННЫХ МОД ШИРОКОЗОННОЙ МАТРИЦЫ НА ТУННЕЛЬНЫЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК (190,00 руб.)

0   0
Первый авторКревчик
АвторыСеменов М.Б., Зайцев Р.В., Филатов Д.О., Кревчик П.В., Бухараев А.А., Арынгазин А.К.
Страниц19
ID552823
АннотацияАктуальность и цели. Изучение проблемы управляемости квантовых эффектов, связанных с диссипативной туннельной динамикой в низкоразмерных системах различной природы, является актуальной проблемой современной физики конденсированного состояния. В последние годы активизировались исследования управляемых туннельных эффектов в системах полупроводниковых квантовых точек, а также в экспериментах со сканирующим туннельным/атомно-силовым микроскопом при исследовании параметров низкоразмерных структур. Целями данной работы являются: экспериментальное исследование туннельных вольт-амперных характеристик, полученных при визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs (001)
УДК539.23; 539.216.1; 537.311.322.
ВЛИЯНИЕ ПРОМОТИРУЮЩИХ ФОНОННЫХ МОД ШИРОКОЗОННОЙ МАТРИЦЫ НА ТУННЕЛЬНЫЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК / В.Д. Кревчик [и др.] // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2014 .— №2 .— С. 128-146 .— URL: https://rucont.ru/efd/552823 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Р. В. Зайцев, Д. О. Филатов, П. В. Кревчик, А. А. Бухараев, А. К. Арынгазин ВЛИЯНИЕ ПРОМОТИРУЮЩИХ ФОНОННЫХ МОД ШИРОКОЗОННОЙ МАТРИЦЫ НА ТУННЕЛЬНЫЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК1 Аннотация. <...> Изучение проблемы управляемости квантовых эффектов, связанных с диссипативной туннельной динамикой в низкоразмерных системах различной природы, является актуальной проблемой современной физики конденсированного состояния. <...> В последние годы активизировались исследования управляемых туннельных эффектов в системах полупроводниковых квантовых точек, а также в экспериментах со сканирующим туннельным/атомно-силовым микроскопом при исследовании параметров низкоразмерных структур. <...> Целями данной работы являются: экспериментальное исследование туннельных вольт-амперных характеристик, полученных при визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs (001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии; теоретическое исследование режима диссипативного 1D-туннельного переноса с учетом влияния отдельных локальных фононных мод широкозонной матрицы во внешнем электрическом поле при конечной температуре. <...> При измерении пространственного и энергетического распределения локальной плотности состояний в квантовых точках InAs использовался метод сканирующей туннельной микроскопии в сверхвысоком вакууме. <...> Образцы для исследований были выращены на подложках n+-GaAs (001) марки АГЧO, легированных Sn методом гидридной эпитаксии металлоорганических соединений при атмосферном давлении. <...> При вычислении вероятности 1D-диссипативного туннелирования в модели двухъямного осцилляторного потенциала с точностью до предэкспоненциального фактора использовался метод инстантонов в приближении разреженного газа пар «инстантон – антиинстантон». <...> В рамках выполненного эксперимента по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs <...>