Физика УДК 539.23; 539.216.1; 537.311.322 В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Д. О. Филатов, П. В. Кревчик, И. А. Егоров, М. А. Султанов, И. К. Скоросова ИОННЫЙ И ТУННЕЛЬНЫЙ МЕХАНИЗМЫ ПРОВОДИМОСТИ ДЛЯ РАСТУЩИХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ИЗ КОЛЛОИДНОГО ЗОЛОТА Аннотация. <...> Для экспериментальных исследований фундаментальных физических эффектов в системах сверхмалых наночастиц в диэлектрических матрицах, а также для их приборных приложений, необходима разработка технологий контролируемого формирования сверхмалых наночастиц заданных размеров в толще сверхтонких диэлектрических пленок, что актуально как для прецизионной наноэлектроники с управляемыми характеристиками, так и для современной наномедицины. <...> Целью настоящей работы является исследование особенностей туннельных вольт-амперных характеристик (ВАХ), полученных для растущих квантовых точек из коллоидного золота в системе совмещенного атомно-силового и сканирующего туннельного микроскопов (АСМ/СТМ), а также исследование условий возможного вклада 2Dдиссипативного туннелирования в туннельные ВАХ. <...> Проведенный эксперимент частично отвечает методике авторов из университета Кобе (Япония). <...> Образование частиц золота в пленках Au(III) – SiO2/TiO2 осуществляется с использованием атомного силового микроскопа. <...> Теоретические работы выполнены в рамках теории диссипативного туннелирования методом инстантонов. <...> Проведено качественное сравнение туннельных ВАХ с рассчитанной теоретической кривой полевой зависимости вероятности 2D-диссипативного туннелирования с учетом влияния двух локальных фононных мод широкозонной матрицы. <...> Установлено качественное соответствие экспериментальной и теоретической кривых, что свидетельствует о возможном вкладе механизма диссипативного туннелирования в туннельный ток через растущую квантовую точку под иглой кантилевера, который может быть усилен в кластерах размером от 1 до 5 нм в более тонких пленках. <...> Приведенное качественное сравнение туннельной <...>