Электроника, измерительная и радиотехника УДК 681.5.62-6:51-74 А. Н. Бормотов, Г. Н. Косоротов, Е. М. Белозубов МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ НЕСТАЦИОНАРНЫХ ТЕМПЕРАТУР НА МЭМС-СТРУКТУРЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫХ ДАТЧИКОВ1 Аннотация. <...> Объектом исследования являются тонкопленочные тензорезисторные датчики давления (ТТДД) и их чувствительные элементы, которые выполнены в виде МЭМС-структур. <...> Предметом исследования являются влияние нестационарных температур и термодеформаций на температурные поля, деформации и электрические параметры тензодатчиков. <...> Цель работы – на основе математического моделирования температурных полей, деформаций и электрических параметров тензодатчиков разработать методы и средства минимизации влияния нестационарных полей температур и термодеформаций с одновременным измерением температур тензорезисторов. <...> Исследования проводились с применением принципов и методов системного анализа, теории математического моделирования и математической статистики в условиях действия нестационарных полей температур и термодеформаций с одновременным измерением собственных температур тензорезисторов. <...> Разработаны методы и средства минимизации погрешностей измерения давления в условиях действия нестационарных температур и термодеформаций. <...> Получены математические модели неинформативного преобразования термоЭДС в выходной сигнал тонкопленочных МЭМС-структур ТТДД с идентичными тензоэлементами, при необходимости из которых могут быть получены решения для любых ТТДД с мостовой схемой. <...> Преимуществом предложенных решений является уменьшение влияния нестационарной температуры за счет возможности раздельного учета температуры каждого из тензорезисторов. <...> Кроме того, преимуществом рассматриваемого решения является то, что индивидуальный учет температуры каждого тензорезистора позволяет учесть индивидуальные температурные характеристики каждого, тем самым <...>