Силовая электроника, № 6’2016 Силовая элементная база 100% SiC или гибрид? <...> Инновации в сфере силовой электроники связаны в первую очередь с внедрением широкозонных материалов, применение которых позволяет не только повысить эффективность преобразования, но и создавать силовые ключи с принципиально новыми свойствами. <...> Карбид кремния рассматривается как один из наиболее перспективных материалов для разработки новых поколений силовых ключей. <...> Особенностям SiCтехнологии посвящено множество публикаций, а ведущие мировые производители уже предлагают широкую гамму транзисторов SiC MOSFET и диодов SiC Шоттки. <...> Однако широкое внедрение технологии SiC ограничено рядом факторов, связанных с относительно большой стоимостью, некоторыми физическими особенностями и высокой плотностью дефектов. <...> Замена традиционных типов транзисторов на карбидокремниевые также является достаточно сложной задачей, поэтому целесообразность использования SiCключей в конкретных устройствах должна тщательно анализироваться. <...> Говоря об очевидных достоинствах карбидокремниевых модулей (и зачастую умалчивая об их недостатках), не стоит забывать об альтернативной технологии, предусматривающей совместную работу IGBT и диодов SiC Шоттки. <...> Подобные «гибридные» модули выпускаются многими мировыми производителями, в том числе SEMIKRON. <...> Штефан Хаузер (Stefan Hа .user) Андрей Колпаков Andrey.Kolpakov@semikron.com Чем хорош гибридный модуль? <...> Каждый раз, когда мы обсуждаем возможность применения карбидокремниевых транзисторов в какомлибо устройстве, мы, как правило, имеем в виду «полные», или 100%, SiC MOSFET-модули (с встроенными диодами SiC Шоттки или без них). <...> Подобные униполярные приборы имеют более высокую скорость коммутации и меньший уровень динамических потерь, чем любые кремниевые ключи, что позволяет существенно повысить рабочую частоту Fsw и эффективность работы преобразовательной системы. <...> Очевидно, что наибольший выигрыш применение SiC-транзисторов дает <...>