ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛО¨В ПРИ ТЕРМООКСИДИРОВАНИИ InP и GaAs С НАНЕС¨ННЫМ АКТИВАТОРОМ © 2005 г. И. Я. Миттова, Е. В. Томина, А. А. Лапенко Воронежский государственный университет Показано, что при окислении фосфида индия и арсенида галлия с использованием поверхностных активаторов окисления в некоторых случаях процесс протекает по механизму близкому к каталитическому. <...> Обнаружено влияние переходного слоя, образующегося на внутренней границе раздела металл-полупроводник при магнетронном нанесении металла, на параметры окисления. <...> Исследование кинетики и механизма формирования диэлектрических сло¸в на таких полупроводниковых материалах как фосфид индия и арсенид галлия явилось продолжением исследований примесного окисления кремния и привело к созданию нового направления в химии полупроводников хемостимулированного окисления простых и сложных полупроводниковых материалов. <...> При собственном окислении полупроводников типа AIII BV не образуется компактного диэлектрического слоя, отвечающего требованиям микроэлектроники, и приходится использовать дополнительные средства и материалы для решения подобной проблемы. <...> Было показано, что предварительное нанесение некоторых соединений на поверхность кристаллов AIII BV может способствовать не только ускорению процесса окисления, но и улучшению качества образующихся многокомпонентных поверхностных сло¸в. <...> Изучение механизма реакций, протекающих в данных гетероструктурах, привело к пониманию важности нахождения искомого вещества-хемостимулятора для программирования поведения исследуемой химической системы, которую представляют собой хемостимулятор и полупроводник, что, в свою очередь, позволило установить новые закономерности реакций типа тв¸рдое-тв¸рдое в тонкопл¸ночных структурах. <...> В русле подобных исследований были проведены многочисленные эксперименты по окислению InP и GaAs с нанес¸нными слоями активаторов <...>