Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 571626)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Химия. Биология. Фармация  / №1 2005

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЁВ ПРИ ТЕРМООКСИДИРОВАНИИ INP И GAAS С НАНЕСЁННЫМ АКТИВАТОРОМ (90,00 руб.)

0   0
Первый авторМиттова
АвторыТомина Е.В., Лапенко А.А.
Страниц5
ID528383
АннотацияПоказано, что при окислении фосфида индия и арсенида галлия с использованием поверхностных активаторов окисления в некоторых случаях процесс протекает по механизму близкому к каталитическому. Помимо этого методами РФА и ИК-спектроскопии установлен состав образующихся слоёв, кинетика и возможный механизм реакций окисления. Обнаружено влияние переходного слоя, образующегося на внутренней границе раздела металл-полупроводник при магнетронном нанесении металла, на параметры окисления
УДК542.943:546.682’18:546.881’21
Миттова, И.Я. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЁВ ПРИ ТЕРМООКСИДИРОВАНИИ INP И GAAS С НАНЕСЁННЫМ АКТИВАТОРОМ / И.Я. Миттова, Е.В. Томина, А.А. Лапенко // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Химия. Биология. Фармация .— 2005 .— №1 .— С. 49-53 .— URL: https://rucont.ru/efd/528383 (дата обращения: 18.10.2021)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛО¨В ПРИ ТЕРМООКСИДИРОВАНИИ InP и GaAs С НАНЕС¨ННЫМ АКТИВАТОРОМ © 2005 г. И. Я. Миттова, Е. В. Томина, А. А. Лапенко Воронежский государственный университет Показано, что при окислении фосфида индия и арсенида галлия с использованием поверхностных активаторов окисления в некоторых случаях процесс протекает по механизму близкому к каталитическому. <...> Обнаружено влияние переходного слоя, образующегося на внутренней границе раздела металл-полупроводник при магнетронном нанесении металла, на параметры окисления. <...> Исследование кинетики и механизма формирования диэлектрических сло¸в на таких полупроводниковых материалах как фосфид индия и арсенид галлия явилось продолжением исследований “примесного” окисления кремния и привело к созданию нового направления в химии полупроводников – хемостимулированного окисления простых и сложных полупроводниковых материалов. <...> При собственном окислении полупроводников типа AIII BV не образуется компактного диэлектрического слоя, отвечающего требованиям микроэлектроники, и приходится использовать дополнительные средства и материалы для решения подобной проблемы. <...> Было показано, что предварительное нанесение некоторых соединений на поверхность кристаллов AIII BV может способствовать не только ускорению процесса окисления, но и улучшению качества образующихся многокомпонентных поверхностных сло¸в. <...> Изучение механизма реакций, протекающих в данных гетероструктурах, привело к пониманию важности нахождения искомого вещества-хемостимулятора для “программирования” поведения исследуемой химической системы, которую представляют собой хемостимулятор и полупроводник, что, в свою очередь, позволило установить новые закономерности реакций типа тв¸рдое-тв¸рдое в тонкопл¸ночных структурах. <...> В русле подобных исследований были проведены многочисленные эксперименты по окислению InP и GaAs с нанес¸нными слоями активаторов <...>