УДК 539.26-405 ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ НА ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ И СОГЛАСОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТРОЙНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Gax In1–x P/GaAs (100) В. Е. Руднева, Вал. <...> Руднева, П. В. Середин, Э. П. Домашевская Воронежский государственный университет Исследовано влияние температуры подложки и скорости потока фосфина при эпитаксиальном выращивании твердых растворов (ТР) вблизи половинного состава x ~ 0,5 в гетероструктурах Gax нений значений х = 0,49 ч 0,56, а также обнаружен распад твердых растворов в некоторых образцах. <...> В результате проведенных исследований гетероструктур Gax P/GaAs (100) с раз= 20 мл/сек. <...> КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА: эпитаксиальные гетероструктуры, спинодальный распад, полупроC и скорости потока фосфина в реакторе PH3 водники. <...> ВВЕДЕНИЕ Спонтанное возникновение периодически упорядоченных структур на поверхности и в эпитаксиальных пленках полупроводников охватывает широкий круг явлений в физике твердого тела и полупроводниковых технологиях [1]. <...> Полупроводниковые соединения III— V обладают превосходными свойствами переноса электронов и оптическими свойствами. <...> Например, диоды красного свечения широко используются в дисплеях, а полупроводниковые лазеры — в линиях волоконно-оптической связи [3]. <...> 1, где представлена зависимость ширины запрещенной зоны от постоянных их кристаллических решеток. <...> Е., Середин П. В., Домашевская Э. П., 2008 вание параметров решетки GaAs и GaInP вблизи величины 5,65 Е. <...> Приборы из сложных полупроводников до настоящего времени, в основном, была предназначена для применений в системах с очень высокими скоростями электронов (используя преимущества уникальных свойств электронного переноса в III—V полупроводниках по сравнению с Si) и в оптических или оптоэлектронных системах (используя преимущество прямозонной структуры этих полупроводников в интервале 0.6—3.5 мкм). <...> P/GaAs (100) на элементный состав ТР и величину параметров. <...> Определены параметры решеток эпитаксиальных ТР в зависимости <...>