4 ЭФФЕКТ УМЕНЬШЕНИЯ ВЫСВЕЧЕННОЙ СВЕТОСУММЫ ВСПЫШКИ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ZnS П. В. <...> Новиков, А. Н. Латышев, О. В. Овчинников, Д. А. Минаков, М. С. Смирнов Воронежский государственный университет Используя метод фотостимулированной вспышки люминесценции, наблюдаемой после затухания стационарного свечения, в монокристалле ZnS исследован механизм уменьшения светосумм, высвечиваемых с глубоких электронных ловушек. <...> Получен ряд свидетельств о том, что наиболее вероятным каналом релаксации светосумм вспышки является уменьшение концентрации ионизированных центров свечения за счет рекомбинации на них электронов, освобождаемых с электронных ловушек глубиной 0.12 эВ. <...> При этом рекомбинация электронов, локализованных на уровнях вспышки с дырками, освобождаемыми с мелких ловушек, также имеет место. <...> ВВЕДЕНИЕ В настоящее время большой практический и фундаментальный интерес проявляется к исследованиям атомов, малоатомных и нанокластеров, адсорбированных на поверхности кристаллов полупроводников, а также процессов с их участием, происходящих под действием света [1—3]. <...> . При этом наряду с возможностью химического синтеза наноразмерных примесных центров, обсуждается возможность сборки на поверхности кристаллов кластеров определенной дисперсности, из отдельных адатомов, за счет их фотостимулированной диффузии [9, 10]. <...> Последний случай выгодно отличается возможностью контроля стадий фотостимулированной сборки кластеров с помощью фотостимулированной вспышки люминесценции (ФСВЛ) [10—13]. <...> Такие работы проводятся для монокристаллов AgCl и ZnS [10]. <...> Дело в том, что методом ФСВЛ удает© Новиков П. В., Латышев А. Н., Овчинников О. В., Минаков Д. А., Смирнов М. С., 2008 ся исследовать глубокие электронные состояния, возникающие при адсорбции центров атомно-молекулярной дисперсности на поверхности люминесцирующих кристаллов с концентрационной чувствительностью, достигающей миллионных долей монослоя [11—13]. <...> В частности <...>