УДК 542.943:546.618’19 ТерМИчеСКОе ОКИСлеНИе gaas ПрИ СОВМеСТНОМ И ПрОСТраНСТВеННО разделеННОМ ВОздейСТВИИ ОКСИдОВ СВИНЦа (ii) И МарГаНЦа (i ) И МарГаНЦа (i�) В. Ф. Кострюко� Воронежский государственный университет го окисления gaAs. <...> Наблюдающийся нелинейный эффект их взаимного влияния обусловлен химическим взаимодействием между оксидами, приводящим к различному включению активаторов в растущий на поверхности gaAs Исследовано воздействие композиций переменного состава Pbo иmnoPbo mno2 gaAs оксидный слой. пок ВВедеНИе тур диэлектрик/полупроводник на поверхности соединений AIII Создание диэлектрических слоев и гетерострукBV и, в частности, gaAs за счет собственного термического окисления осложнено протеканием побочных процессов, неблагоприятно сказывающихся как на свойствах самого диэлектрического слоя, так и на границе раздела полупроводник/оксид. <...> Одним из путей решения этой проблемы является так называемое хемостимулированное окисление [1], позволяющее кинетически заблокировать неблагоприятные стадии за счет целенаправленного изменения маршрутов гетерогенных процессов при введении в систему определенных соединений-активаторов. при введении активаторов в газовую фазу была обнаружена неаддитивность их совместного хемостимулирующего воздействия [2], что в принципе позволяет более гибко управлять маршрутами многоканальных реакций и целенаправленно формировать функциональные слои с широкой вариацией состава и свойств. помимо прикладных аспектов проблемы, исследования нелинейных эффектов при совместном воздействии активаторов позволяют расширить представления о кинетике и механизме многомаршрутных гетерогенных реакций — химической индукции, термодинамического и кинетического сопряжения, каталитических процессов в открытых неравновесных тонкопленочных системах. <...> Между тем, ответ на этот вопрос © Кострюков В. Ф. <...> 2006 приводящие к нелинейной зависимости толщины оксидного слоя на поверхностиgaAs <...>