УДК 544-16; 539.2:54 ПАРАМЕТР КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Pb1–x Cdx М. К. <...> Шаров Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 21.09.2010 г. Pb1–xCdx Аннотация. <...> Исследована зависимость параметра кристаллической решетки твердых растворов Te от содержания кадмия. <...> При росте его концентрации наблюдается падение параметра решетки по зависимости близкой к линейной. <...> The crystal lattice period of the Pb1–x Cdx ВВЕДЕНИЕ Поведение примесных атомов в решетке PbTe имеет сложный характер. <...> Из литературных данных [1—4] известны зависимости периода решетки твердых растворов на основе PbTe от концентрации примесей гетеровалентных элементов IIIA группы и галогенов, а также хорошо изученной изовалентной примеси олова [5]. <...> Гетеровалентные примеси (Ga, In, Cl, I) дают экстремум на концентрационных зависимостях параметра решетки при малом содержании легирующих компонентов. <...> Такие немонотонные зависимости находят объяснение с точки зрения теории самокомпенсации [6], по которой введение гетеровалентной примеси приводит к генерации вакансий в подрешетке свинца или теллура. <...> В то же время изовалентная примесь олова дает почти линейную концентрационную зависимость параметра решетки [6]. <...> Кадмий как элемент IIB группы формально является гетеровалентой примесью по отношению к PbTe. <...> Однако в CdTe он проявляет степень окисления такую же, как и свинец в PbTe. <...> Кроме того, CdTe обладает, как и PbTe, кубической решеткой с очень близким параметром: aPbTe NaCl), aCdTe = 0.6462 нм (тип = 0.6481 нм (тип сфалерит). <...> При высоком давлении CdTe переходит в решетку типа NaCl с параметром 0.582 нм [7]. <...> Поэтому можно предположить, что поведение кадмия в матрице PbTe будет схожим с поведением изовалентных примесей, и он будет обладать значительно большей растворимостью по сравнению © Шаров М. К., 2011 с гетеровалентными элементами, что позволит более надежно управлять электрофизическими свойствами твердых растворов, используемых для создания ИК-оптоэлектронных приборов и термогенераторов <...>