УДК 541.123.3:546.681'682'18 ВЛИЯНИЕ ПОДЛОЖКИ НА УСТОЙЧИВОСТЬ ТВЕРДОГО РАСТВОРА Ga1–x Т. П. Сушкова, Г. В. Семенова, Е. Ю. Кононова Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 20.07.2011 г. Аннотация. <...> На основании расчета температурно-концентрационной зависимости свободной (например, это подложки GaAs, AlAs (сф.), Ge). <...> Ключевые слова: термодинамическая устойчивость твердого раствора; эпитаксиальные пленки; энергии Гиббса установлено, что в системе GaP — InP при 300 К область устойчивого существования твердого раствора не превышает 1—2 мол. % с обеих сторон, критическая температура составляет 860 К. <...> Учет энергии упругих напряжений, возникающих при эпитаксиальном наращивании пленок на различных подложках, приводит к изменению координат бинодальной кривой. <...> В упругонапряженном тонкопленочном состоянии могут быть получены устойчивые твердые растворы, состав которых попадает в область распада на равновесной фазовой диаграмме. <...> Устойчивость твердого раствора в пленочном состоянии увеличивается по сравнению с объемными образцами за счет стабилизирующего влияния подложки, только если подложка изопериодна составам Ga1–х InхP 0,2 < х < 0,7 упругие напряжения. <...> On the basis of calculation of Gibbs free energy dependence on concentration and temperature in the GaP — InP system it was installed that at 300 K the area of sustainable livelihoods of solid solution does not exceed 1—2 mol % on both sides, the critical temperature is 860 K. <...> Состав твердого раствора Gax Твердые растворы на основе фосфидов галлия In1–x ного по периоду решетки с подложкой GaAs, попадает в область неустойчивости на фазовой диаграмме. <...> При получении твердого раствора в виде эпитаксиальной пленки из-за несоответствия параметров решетки подложки и когерентно сопряIn1–x © Сушкова Т. П., Семенова Г. В., Кононова Е. Ю., 2011 60 P, согласованP является женного с ней слоя возникают упругие напряжения, которые изменяют свободную энергию твердого раствора и приводят к изменению пределов растворимости компонентов <...>