46 49 УДК 546.65.541 Ж.Д. СТЕХАНОВА, О.Б. ЯЦЕНКО, С.Д. МИЛОВИДОВА, А.С. СИДОРКИН, О.В. РОГАЗИНСКАЯ, А.Н.ЮРЬЕВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ ВОДНЫХ РАСТВОРОВ ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ НИЖЕ 0О С © 2004 г. Ж.Д. Стеханова, О.Б. Яценко, С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, О.В. Рогазинская, А.Н.Юрьев Кристаллы триглицинсульфата (NH2CH2 створов при температурах ниже 0 О Воронежский государственный университет COOH)3 определены значения спонтанной поляризации, обнаружено повышение точки Кюри Тс в этих кристаллах на 0,5-0,7 О что приводит к смещению точки Кюри в область более высоких температур. <...> ВВЕДЕНИЕ сегнетоэлектрическими свойствами и являются перспективными материалами для твердотельной электроники [1]. <...> Обычно эти кристаллы выращивают из водных растворов, а их свойства в значительной степени определяются водородными связями. <...> Точка Кюри для кристаллов, выращенных при Т ≥ 20О ходится при 49О · H2 Кристаллы триглицинсульфата (NH2CH2 SO4 С, наС. <...> Она характеризует прочность связей в кристалле и их способность к формированию доменной структуры, определяющей сегнетоэлектрические свойства. <...> Состояние водородных связей в кристаллах ТГС можно изменять за счет условий их роста, например, изменяя температуру раствора. <...> При этом особый интерес представляет зарождение и рост кристаллов при тех температурах (вблизи 0О С и ниже), при которых водородные связи в воде и водных растворах могут претерпевать существенные изменения. <...> Наиболее чувствительными к состоянию водородных связей в кристаллах ТГС являются их сегнетоэлектрические свойства. <...> Направленное изменение этих связей в процессе роста кристаллов позволяет получать сегнетоэлектрические материалы с заданными параметрами. <...> Поэтому целью данной работы являлось изучение диэлектрических свойств кристаллов ТГС, выращенных при температуре ниже 00 C. <...> МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА ров при Т < 0 О Для выращивания кристаллов из водных раствоС необходимо знать координаты <...>