101 106 УДК 537.226 ОСОБЕННОСТИ ОКСИДИРОВАНИЯ ПЛЕНОК ОЛОВА В УСЛОВИЯХ ПОНИЖЕННОГО И АТМОСФЕРНОГО . <...> ОСОБЕННОСТИ ОКСИДИРОВАНИЯ ПЛЕНОК ОЛОВА В УСЛОВИЯХ ПОНИЖЕННОГО И АТМОСФЕРНОГО ДАВЛЕНИЯ КИСЛОРОДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ © 2004 г. А.М. Ховив, В.А. Логачева, О.В. Новикова Воронежский государственный университет В настоящей работе исследован процесс оксидирования пленок олова, полученных магнетронным напылением на монокристаллический кремний, в температурном интервале Т=473-673 К при атмосферном и пониженном давлении кислорода и воздействии широкополосного и монохроматического ИК-излучения среднего диапазона методами РФА, растровой электронной микроскопии и эллипсометрического контроля толщины пленок. <...> Было показано, что при давлении кислорода 0,6 Па оксидирование пленок олова заметно начинается только при температурах выше 473 К. <...> До температуры 573 К ИК- излучение оказывает «замедляющее» действие на рост оксидной пленки за счет стимулирования процесса десорбции физически адсорбированного кислорода с поверхности металлической пленки; при Т = 573 К толщины оксидов, полученных при воздействии ИК-излучения и без него, почти одинаковы, а при более высоких температурах ИК излучение стимулирует рост оксидной пленки. <...> Исследование методом РФА состава пленок показало, что в случае воздействия ИК-излучения среднего диапазона, как широкополосного, так и монохроматического не образуется в процессе роста пленки Sn3 O4 , причем независимо от давления кислорода. <...> ВВЕДЕНИЕ Тонкие полупроводниковые пленки оксидов олова используются в качестве чувствительных слоев в интегральных датчиках газов для экологического мониторинга, контроля концентрации токсичных и взрывоопасных газов в воздухе [1-4]. <...> Газовая чувствительность, селективность, быстродействие таких датчиков связаны с электрофизическими характеристиками поликристаллических оксидных пленок олова, которые определяются татов измерения электропроводности <...>