5 – 8 ХИМИЯ УДК 54-165:546.86’87 ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ Bi-Sb © 2003 г. Ю.М. Бондарев, Е.В. Бирючинский, Е.Г. Гончаров Воронежский государственный университет Исследованы особенности формирования разбавленных твердых растворов в системе Bi-Sb. <...> Выяснена роль собственных точечных дефектов компонента - растворителя (висмута) в процессах, приводящих к появлению экстремумов на изотермах свойств. <...> Определена энтальпия образования вакансии в кристалле висмута. <...> Предложена модель, объясняющая появление экстремумов на кривых состав-свойство твердых растворов взаимодействием примесных атомов с вакансиями матрицы (висмута). <...> ВВЕДЕНИЕ Все возрастающий интерес к материалам с заданными свойствами в качестве базовых для функциональной электроники стимулирует изучение процессов дефектообразования в твердых телах, как в теоретическом, так и экспериментальном плане [1-4]. <...> Дефектообразованию в полуметаллах (As, Sb, Bi) до настоящего времени не уделялось большого внимания, тем более в тонкопленочном состоянии. <...> Между тем эта проблема имеет как научный, так и прикладной аспект, т.к. дает возможность более глубоко понять кристаллохимическую природу этого во многом противоречивого содружества элементов. <...> Создание термоэлектрических материалов в виде пленок выдвигает перед экспериментаторами проблемы, связанные с воспроизведением свойств массивных образцов в тонких пленках. <...> Свойства пленок могут существенно отличаться от свойств макрообразца, причем структура тонких пленок зависит как от условий их получения (например, термообработки), так и от толщины получаемой пленки. <...> Исходя из анализа кристаллических и электрофизических свойств висмута, следует ожидать своеобразия процесса дефектообразования в этом веществе. <...> Планируя постановку эксперимента, следует учитывать особенности электрофизических свойств висмута по сравнению с обычными металлами (Cu, Al, Au и др.): рост числа носителей заряда с температурой <...>