5 – 20 РАЗДЕЛ ХИМИЯ УДК 546.815 24+546.62 КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ Ga ПЛЕНОК PbTe НА Si ПОДЛОЖКАХ © 2001 г. Я.А. Угай, А.М. Самойлов Воронежский государственный университет В настоящей работе представлен анализ результатов легирования галлием тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках. <...> Для формирования легированных Ga пленок PbTe на Si подложках были разработаны две оригинальные методики. <...> Сущность первой из них заключается в легировании Ga выращенных модифицированным методом “горячей стенки” пленок PbTe/Si, при помощи двухтемпературного отжига в насыщенном паре над гетерогенной смесью GaTeS временным легированием Ga пленок PbTe непосредственно в процессе их формирования на Si подложках из независимых источников паров теллура и паров металлов, находящихся в расплаве Pb1-x + L1 , при помощи модернизированного метода «горячей стенки». <...> Исследование зависимости параметра кристаллической решетки от содержания галлия в выращенных слоях Pb1-y Gax позволило обнаружить ее немонотонный характер, что можно расценивать как признак различного механизма вхождения примесных атомов в исходную кристаллическую матрицу. <...> Изучение температурных зависимостей электрофизических параметров показало, что при содержании примеси 0,0025 < yGa Gay ми концентрациями носителей заряда и достаточно высокими значениями подвижности, что свидетельствует о перспективности их применения в ИК - оптоэлектронике. <...> < 0,005 выращенные пленки Pb1-y ВВЕДЕНИЕ Узкозонные полупроводники АIV ВVI ВVI и твердые растворы на их основе уже свыше 40 лет являются предметом пристального изучения учеными-материаловедами многих стран мира [1]. <...> Повышенный интерес к соединениям АIV обусловлен их способностью детектировать инфракрасное (ИК) излучение в широком интервале длин волн, что объясняет их практическое применение в различных приборах оптоэлектронной техники [2–4]. <...> Многочисленные исследования показали, что для применения <...>