5 - 12 МНОГОКАНАЛЬНЫЕ РЕАКЦИИ ПРИ ОКИСЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СЕРИЯ ХИМИЯ УДК 542.943:621.315.5:541.128 МНОГОКАНАЛЬНЫЕ РЕАКЦИИ ПРИ ХЕМОСТИМУЛИРОВАННОМ ТЕРМИЧЕСКОМ ОКИСЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТРАНЗИТ, СОПРЯЖЕНИЕ, КАТАЛИЗ © 2000 г. И.Я. Миттова Воронежский государственный университет Предложены кинетические схемы многоканальных процессов хемостимулированного термического окисления полупроводников. <...> Показаны варианты воздействия соединений-активаторов по катионному и анионному направлениям и их влияние на состав растущих слоев. <...> Обсуждены транзитный и каталитический механизмы участия хемостимуляторов в процессах формирования многокомпонентных слоев на полупроводниках и роль эффекта сопряжения в многоканальных гетерогенных реакциях формирования тонкопленочных структур. <...> Проблема целенаправленного синтеза тонкопленочных материалов и структур с заданными функциональными свойствами, как и любая фундаментальная проблема химии, имеет термодинамический и кинетический аспекты. <...> С этих позиций рассмотрим новые процессы хемостимулированного окисления полупроводников, разработка которых, с одной стороны, важна для решения задач микроэлектроники и ряда других новых технологий, а с другой позволяет расширить имеющиеся представления о гетерогенных процессах типа твердое газ, твердое твердое и твердое жидкость, установить новые эффекты и закономерности их протекания, обусловленные тонкопленочным состоянием как реагентов, так и продуктов. <...> Ясно, что термодинамический расчет процессов, протекающих при термооксидировании полупроводников, является оценочным и может быть использован лишь в первом приближении. <...> Однако при всей его оценочности термодинамический критерий играет важнейшую роль при выборе хемостимулятора. <...> При оксидировании полупроводников (термическом, химическом, электрохимическом и т. д.) основным анионом, формирующим результирующий слой, является кислород. <...> Установлено <...>