УДК: 621.315.592 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ В СТРУКТУРАХ Si–SiO2 И. Ю. Бутусов, Ю. Н. Перин Воронежская государственная технологическая академия Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 08.09.2010 г. Ключевые слова: параметры токопрохождения, структура Si-SiO2 на, метод зонда Кельвина. structures is considered. <...> Key words: current transit parameters, Si-SiO2 Применение метода зонда Кельвина для исследования структур Si–SiO2 — окисленных кремниевых пластин — обусловлено тем обстоятельством, что он является неразрушающим, бесконтактным методом измерения электрических потенциалов на поверхностях изучаемых образцов. <...> При использовании этого метода для исследования электрических свойств тонкой пленки SiO2 Аннотация: рассмотрено применение метода зонда Кельвина для определения параметров токопрохождения в структурах Si-SiO2 . , кремниевая пластиAbstract: аpplication of Kelvin probe technique for determination of the current transit parameters in Si-SiO2 structures, silicon plate, Kelvin probe method. - e e0E J, = E = V d , где e =3,85 (для пленки SiO2 d—толщина пленки SiO2, на кремниевой пластине поверхность пленки предварительно заряжается в коронном разряде положительными зарядами. <...> После этого с помощью измерительного зонда Кельвина, находящегося над поверхностью пленки, производится измерение электрического потенциала V поверхности пленки относительно кремния пластины компенсационным способом, при котором потенциал вибрирующего в вертикальном направлении (перпендикулярно к пластине) зонда равен значению V и нет тока смещения в промежутке между зондом и поверхностью пленки (электрический потенциал зонда обеспечивается энергией от внешнего источника) [1]. <...> В тонкой пленке SiO2 на кремниевой пластине при наличии в ней электрического поля напряженностью E, создаваемого электрическими зарядами на поверхности пленки, возникает электрический ток разряда. <...> Этот процесс эквивалентен разряду электрического плоского конденсатора, у которого одной обкладкой является положительно заряженная <...>