УДК 621.382 ПЕРЕХОДНЫЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И КРУТИЗНА НАНО-МОП ТРАНЗИСТОРОВ СО СВЕРХТОНКИМ ОСНОВАНИЕМ Б. К. <...> Петров, А. А. Краснов Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 15.09.2008 г. для нано-МОП транзисторов со структурой n++-n-n++ Аннотация. <...> Рассматриваются физические основы работы нано-МОП транзисторов со сверхтонким основанием. <...> = Ic (Vзи ) и S = S(Vзи Ключевые слова: нано-МОП транзистор, структура КНИ транзистора, ультратонкое основание, вольтамперная характеристика, крутизна. <...> = Is (Vg ) и S = S(Vg ) for n++-n-n ++ structure of nano-MOS transistors are calcuKey words: nano-MOS transistor, SOI transistor structure, ultrathin body, current-voltage characteristic, steepness. <...> Например, в [1] описывается структура трехзатворного транзистора (tri-gate), предложенного компанией Intel, в [2] структура КНИтранзистора с ультратонким основанием (Ultrathin Body — UTB), т.е. транзисторы с полностью или частично обедненным основанием и транзистор с вертикально замещенным затвором (Vertical Replacement-Gate — VRG). <...> Однако, теория описывающая работу этих приборов отсутствует в литературе, поэтому данная работа посвящена выводу аналитических выражений для переходной вольтамперной характеристики Ic зисторов со сверхтонким основанием. <...> ВЫВОД ПЕРЕХОДНЫХ = Ic (Vзи ХАРАКТЕРИСТИК И ВЫРАЖЕНИЙ ДЛЯ КРУТИЗНЫ Нано-МОП транзисторы с традиционной смыкания этих p-n переходов уже при напря© Петров Б. К., Краснов А. А., 2008 яние между металлургическим n++-p+ переходом истока и p+-n++ стока) даже при концентрации акцепторов Nap+ < 200 ангстрем (L0 = 1019 см–3 из-за явления структурой n++-p+-n++ и инверсионным слоем (n-канал на р+-подложке) невозможно сделать с длиной канала L0 — рассто) и крутизны S нано-МОП транкоторой затем создают имплантацией фосфора n++ области истока и стока с Ndn++ = 1020 толщиной хn = хco см-3 , в и выхода из кремния (расстояние от уровня покоящегося электрона в вакууме до дна зоны проводимости), YBn та выхода из n-Si ФnSi = 4,05 + 0,55 – qYB = 4,50 эВ), вольфрам (ФW , где cSi : хром (ФCr ВЕСТНИК ВГУ, СЕРИЯ: ФИЗИКА. <...> Из при— объемный на который напылением в вакууме <...>