УДК 539.043:621.382 МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ЗАРЯДОВОЙ ДЕГРАДАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ МОП СТРУКТУР М. Н. <...> Левин, А. В. Татаринцев, Е. В. Бондаренко, В. Р. Гитлин, В. А. Макаренко, А. Е. Бормонтов Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 17.10.2008 г. Аннотация. <...> Предложена модель накопления заряда в слое стеклообразной двуокиси кремния и на поверхностных состояниях границы раздела Si—SiO2 кремниевой МОП структуры высоким уровнем внутренних упругих напряжений. <...> На основе предложенной модели рассчитаны дозовые зависимости накопления фиксированного заряда в окисле и плотности поверхностных состояний для высоких и низких мощностей доз. <...> Предложена методика прогноза радиационной деградации статических характеристик кремниевых МОП структур в радиационных полях низкой интенсивности (космическое излучение). <...> We propose a model of the charge accumulation in the glassy SiO2 layer and at the surface states of the Si—SiO2 под воздействием рентгеновского излучения, основанная на едином механизме генерации радиационных дефектов E’ (–Si–O3 ) и Pb (−Si≡Si3 model is based on the general mechanism of generation of the radiation defects of the E’ (−Si≡O3 and Pb (−Si≡Si3 interface of a silicon MOS-structure under the X-ray irradiation. <...> ВВЕДЕНИЕ В настоящее время сохраняет свою актуальность тематика исследований, связанных с воздействием ионизирующих излучений (ИИ) на структуру металл-окисел-полупроводник (МОП), являющуюся основой значительной части современных ИС [1, 2]. <...> Одним из направлений исследования является разработка методов прогноза радиационной стойкости МОП ИС к воздействию низко-интенсивного космического излучения. <...> При воздействии ИИ на МОП структуру происходит образование положительного радиационно-индуцированного заряда в окисле и радиационных поверхностных состояний (ПС) на границе полупроводник-окисел. <...> Наряду с этим протекают долговременные процессы туннельной и термической разрядки заряда в окисле и на ПС. <...> Соотношение этих процессов определяет изменение зарядового состояния МОП структуры в процессе воздействия <...>