УДК 621.328 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В ИССЛЕДОВАНИИ ОКСИДИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ НА КРЕМНИИ Е. А. <...> Тутов, С. В. Рябцев, В. А. Логачева, Е. Е. Тутов, Е. Н. Бормонтов, А. М. Ховив Воронежский государственный университет Окислительным отжигом тонких пленок олова, вольфрама, палладия и цинка на кремнии сформированы структуры металл—оксид—полупроводник и измерены их высокочастотные (1 МГц) вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики. <...> Для нестехиометрических оксидов олова, вольфрама и палладия обнаружены общие особенности в энергетическом спектре плотности поверхностных состояний. <...> ВВЕДЕНИЕ В микроэлектронной технологии тонкие пленки металлов на кремнии помимо непосредственного применения используются для формирования силицидных или оксидных слоев различного функционального назначения. <...> Исследование процессов образования соответствующих фаз и характеристик межфазных границ является актуальной научной и практической задачей. степени с развитием полупроводниковой сенсорики [1]. <...> Для активно изучаемых в качестве сенсорных материалов высших оксидов металлов (ZnO, SnO2 Интерес к металлоксидным пленкам и структурам MeOx /Si связан в значительной том является дефицит аниона (кислорода) и наличие катионов металла в более низкой по сравнению со стехиометрической формулой степени окисления, что определяет электронный характер их проводимости. , WO3 , TiO2 Свойства тонких пленок могут существенно отличаться от свойств массивного материала. <...> При уменьшении характеристического параметра объекта (размера кристаллита, толщины пленки) до значений, сравнимых с расстоянием туннелирования для электронов, экспериментально наблюдаются структурные аномалии и изменения фазового состояния. <...> В зависимости от метода получения металлоксидной пленки и последующих воздействий и обработок возможно формирование различных поли© Тутов Е. А., Рябцев С. В., Логачева В. А., Тутов Е. Е., Бормонтов Е. Н., Ховив А. М., 2007 36 ) характерным <...>