Татаринцев Воронежский государственный университет Представлены разработанные автором либо при его непосредственном участии электрофизические методы исследования электрически активных дефектов в полупроводниках и МОП структурах и методы обнаружения латентных дефектов, недоступных для контроля электрофизическими методами, основанные на использовании радиационных и электромагнитных воздействий. <...> Прецизионные электрофизические методы, включающие измерения временных, полевых и температурных зависимостей емкостей и токов, явились основным средством исследования электрически активных дефектов в полупроводнике, на границе раздела полупроводник—диэлектрик и в диэлектрическом слое базовой микроэлектронной структуры металл—окисел—полупроводник (МОП). <...> При этом методы, первоначально разработанные для одномерных МОП структур, оказались недостаточными для контроля тех же параметров непосредственно в элементах МОП ИС. <...> Возникла необходимость в учете эффектов, связанных с топологией МОП транзисторов (МОПТ), наличием p-n переходов и т. п. <...> Решение указанных проблем необходимо, чтобы обеспечить сочетание основных достоинств электрофизических методов — высокой чувствительности к обнаружению дефектов и возможности проведения исследования непосредственно в рабочих структурах МОП ИС с достоверностью результатов, получаемых при интерпретации экспериментальных данных. <...> Эти проблемы могут быть решены только при комплексном исследовании, обеспечивающем возможность независимого контроля и разде© Татаринцев А. В., 2006 116 ления процессов образования дефектов в полупроводниках, диэлектриках и на границах их раздела. <...> Комплексный подход подразумевает совместное использование в исследуемых структурах набора прецизионных электрофизических методов исследования дефектообразования в полупроводниковых подложках, диэлектрических слоях и на границах раздела полупроводник—диэлектрик <...>