УДК 539.211:538.915 ЭлЕКТроННая СТруКТура НаНоКрИСТалла agcl c адСорБИроваННыМ На аТоМНо-шЕроХоваТой повЕрХНоСТИ ИоНоМ СЕрЕБра ю. <...> , в. а. шунина Воронежский государственный университет полуэмпирическим методом сильной связи с самосогласованием по эффективным зарядам и дипольным моментам ионов рассчитаны полные и локальные плотности состояний нанокристаллов AgCl с адсорбированным ионом серебра. адсорбция рассматривалась как на атомношероховатой поверхности (вблизи ступеньки и излома ступеньки), так и на гладкой поверхности. <...> На основе полученных данных делается, в частности, вывод, что следует ожидать усиление локализации фотоэлектронов с уменьшением количества ближайших к адсорбированному иону анионов подложки. <...> То есть, наиболее эффективный захват фотоэлектрона должен происходить при адсорбции на гладкой поверхности, а не вблизи ступенек и их изломов, как до сих пор было принято считать. <...> Как известно, на фотофизические процессы в галогенидах серебра большое влияние оказывают адсорбционные центры. <...> Так, в работе Бетцольда [ ] рассчитаны энергии связи отдельных атомов и кластеров серебра, адсорбированных на атомно-шероховатой поверхности AgBr. <...> Использовались кластерный подход и приближение функционала плотности с применением неэмпирических псевдопотенциалов. рассматривалась адсорбция кластеров серебра, содержащих от одного до четырех атомов, вблизи излома поверхностной ступеньки. <...> В этой работе система ионов представляла собой полусферу, на плоской части которой располагался излом ступеньки. <...> Система содержала около 200 ионов, однако квантовомеханический расчет проводился для относительно небольшого числа ионов, расположенных вблизи излома. для положительно и отрицательно заряженных изломов рассматривался кластер Ag4 ных изломов — кластер Ag5 Br4 ; для двойных отрицательBr4 . <...> Сначала рас© Тимошенко Ю. К., шунина В. а., 2006 82 считывалась равновесная геометрия соответствующего малоатомного кластера <...>