Математика, 2005, ¹1 УДК 621.3.049.744 ВЛИЯНИЕ ЕМКОСТНЫХ ТОКОВ В МОЩНЫХ СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРАХ НА ЭФФЕКТ ОТКРЫТИЯ ПАРАЗИТНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Б. К. <...> Петров, Р. Г. Григорьев, П. А. Меньшиков Воронежский государственный университет Рассмотрен эффект включения паразитного биполярного n+ -p-nтранзистора, в мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторах работающих в режиме усиления большого сигнала. <...> Приведены формулы для расчета ширины стокового p-n перехода, барьерной емкости стокового p-n перехода, и падения напряжения создаваемого протекающим под истоковой n+ -ячейкой дырочным током перезарядки стокового p-n перехода. <...> ВВЕДЕНИЕ На работу мощных СВЧ ДМОП транзисторов с вертикальной структурой (рис. <...> 1) в режиме усиления больших сигналов оказывают влияние ряд факторов, которые могут отрицательно сказываться на работе прибора, и одним из таких факторов является включение паразитного n-p-n транзистора. <...> В литературе [1,2] рассмотрен случай включения паразитного n-p-n биполярного транзистора при выключении импульса в высоковольтных переключающих ДМОП транзисторах, когда напряжение сток исток Uис В результате ширина p-n-перехода истоковых p-ячеек резко увеличивается, под n+ Uвкл=1020 В до Uвыкл за время tвыкл =1050 нс возрастает от =Uпит =1001000 В. -оби начинается инжекция электронов из края n+ n+ инжекционного тока стока Icинж вызывать катастрофические отказы приборов. <...> Для приборов работающих в режимах усиления большого сигнала, когда действует переменное синусоидальное напряжение сток-исток, этот эффект не рассматривался детально и именно он будет рассмотрен в данной работе. с высоким напряжением Uис>100 В может © Петров Б. К., Григорьев Р. Г., Меньшиков П. А., 2005. <...> 101 ластью протекает большой дырочный емкостной ток, падение напряжения вдоль p-областей может достигать значения U=Uоткр =0.7 В -областей (при y 0≈ на рис. <...> РАСЧЕТ БАРЬЕРНОЙ ЕМКОСТИ ИСТОКОВЫХ ЯЧЕЕК В СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРАХ В реальных ВЧ и СВЧ МОП транзисторах изготовляемых многократной <...>