ВЕСТНИК ВГУ, Серия: Физика, математика, 2004, ¹2 УДК: 537.226 ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОВОГО ОТЖИГА НА ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННУЮ ЭМИССИЮ ЭЛЕКТРОНОВ С ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ ТГС © 2004 О. В. Рогазинская, А. Б. Плаксицкий, С. Д. Миловидова, А. С. Сидоркин, А. Ю. Божков, А. Н. Юрьев, П. В. Логинов Воронежский государственный университет Установлено, что величина эмиссионного сигнала как в номинально чистых, так и примесных кристаллах ТГС зависит от типа доменной структуры. <...> Показано, что независимо от того, каким образом получена доменная структура: отжигом образцов кристаллов ТГС в пара- или сегнетоэлектрической фазах, или специальным введением дефектов в процессе роста в образцах с большим числом доменных стенок эмиссия электронов очень мала или совсем отсутствует. <...> ВВЕДЕНИЕ Применение сегнетоэлектриков в качестве эмиттеров связано с использованием полярного состояния их поверхности, существенное влияние на которую оказывает доменная структура этих кристаллов, характер и параметры которой в свою очередь определяются условиями ее формирования введением различного рода примесей в кристалл при его выращивании, радиационным облучением или температурным отжигом. <...> В работах [13] показано, что термостимулированный эмиссионный ток из сегнетоэлектрического триглицинсульфата (ТГС) достигает нескольких тысяч импульсов в секунду в диапазоне температур от комнатной до фазового перехода. <...> Однако при повторном нагреве эмиссия электронов полностью отсутствует. <...> С нашей точки зрения нельзя исключить при этом уменьшения величины поля, активного в эмиссии за счет увеличения числа доменных стенок и уменьшения размеров доменов после теплового отжига, как в параэлектрической, так и в сегнетофазе. <...> Поэтому целью настоящей работы явилось исследование влияния теплового отжига на эмиссионные спектры кристаллов ТГС. <...> 82 МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ И ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ Измерения тока термостимулированной эмиссии электронов <...>