ВЕСТНИК ВГУ, Серия: Физика, математика, 2004, ¹2 УДК 621.33.049.77:539.16.04 МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РАДИАЦИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОИЗВОДСТВЕ МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ © 2004 В. Р. Гитлин, А. В. Татаринцев, В. А. Макаренко, М. Н. Левин Воронежский государственный университет Представлена модель, описывающая процессы накопления индуцированного ионизирующей радиацией заряда в диэлектрике структуры SiSiO2 и последующей его релаксации за счет туннельной разрядки и термоэмиссии. <...> Проведено моделирование технологических процессов рентгеновской корректировки пороговых напряжений МДП интегральных схем и дана оценка пределов их применимости. <...> ВВЕДЕНИЕ В [1, 2] были представлены материалы, обобщающие результаты работ по разработке и применению радиационно-технологических процессов (РТП) прецизионной корректировки пороговых напряжений МДП интегральных схем (ИС), основанных на использовании рентгеновского и ближнего ультрафиолетового (УФ) излучений. <...> В этих работах экспериментально установлено, что ионизирующая радиация в слоях диоксида кремния, легированного фосфором, образует положительный заряд, имеющий две составляющие с различной термополевой стабильностью. <...> Образование этого заряда приводит к радиационно-индуцированному изменению пороговых напряжений МДП ИС. <...> Термостабильная часть радиационно-индуцированного изменения порогового напряжения определяется технологией изготовления и составляет в рамках существующих стандартных технологий от 30 до 70 % от ее начального значения. <...> РЕАЛИЗАЦИЯ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТЕХНОЛОГИИ КОРРЕКТИРОВКИ ПОРОГОВЫХ НАПРЯЖЕНИЙ МДП ИС Сопоставление воздействий различных видов радиации на параметры серийных МДП ИС [3] позволило выбрать низкоэнер16 гетическое рентгеновское излучение в качестве наиболее эффективного воздействующего фактора для изменения значений пороговых напряжений th V МДП-транзисторов за счет формирования термостабильного заряда в слоях подзатворного диоксида кремния <...>