ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика, 2001, ¹ 2 УДК 538.935:621.382.23 ПРИРОДА МЯГКОГО ПОВЕДЕНИЯ ОБРАТНОГО ТОКА В ШОТТКИ-СТРУКТУРЕ Mo/n-Si © 2001 г. В. С. Питанов, А. В. Якименко Воронежский государственный университет Методом показателя экспоненты исследовано поведение обратного тока в Шоттки-структуре на основе контакта Mo/n-Si. <...> Установлено, что при малой неидеальности вольт-амперной характеристики отсутствие насыщения обратного тока вызвано снижением барьера Шоттки. <...> Показано, что изменение высоты барьера обусловлено совместным действием сил зеркального изображения и дипольным эффектом, возникающим за счет проникновения волновых функций электронов металла в запрещенную зону полупроводника вблизи границы раздела. <...> Получено соотношение, связывающее величину снижения барьера Шоттки с максимальной напряженностью электрического поля на границе металла с полупроводником, а через него с обратным напряжением на контакте. <...> ВВЕДЕНИЕ Традиционные модели переноса заряда [1] в Шоттки-структурах на основе полупроводников с достаточно высокой подвижностью основных носителей описывают их вольтамперную характеристику (ВАХ) выражением: IV IS0 () exp =−1, nVT (1) V где I ток через контакт металлполупроводник (КМП) при внешнем напряжении V, n эмпирически определяемый коэффициент идеальности ВАХ, VT = (kT)/q термический потенциал, q заряд электрона, k постоянная Больцмана, T термодинамическая температура полупроводника. <...> При обратных напряжениях VR структуры должна насыщаться, причем ток насыщения >3VT ВАХ ШотткиIS0=SA** T2 exp[q b/kT](2) определяется площадью S КМП и высотой потенциального барьера q щении. <...> Однако, многочисленные эксперименты показывают, что в реальных Шоттки-структурах при VR его медленный рост с увеличением напряжения, т.е. имеет место так называемое мягкое поведение обратной ветви ВАХ КМП [2, 3]. <...> Одной из физических причин его может быть зависимость высоты барьера Шоттки от максимальной напряженности <...>