Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634938)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки  / №3 2015

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ С ЗАДАННОЙ СУБСТРУКТУРОЙ В ГРАДИЕНТНОМ ТЕПЛОВОМ ПОЛЕ (60,00 руб.)

0   0
Первый авторЛозовский
АвторыСередин Б.М., Благин В.А., Ануфриева В.В., Баранник А.А., Лунина М.Л.
Страниц7
ID520234
АннотацияОсуществлен анализ особенностей процесса термомиграции жидких зон в кристалле для формирования полупроводниковых материалов с заданной субструктурой, в сравнении с методом диффузии. Учтены главные факторы, определяющие и сопровождающие процесс термомиграции жидкого включения в кристалле. Выявлены и описаны геометрические, концентрационные, температурновременные и другие условия, при которых выбор эффекта термомиграции в качестве метода локального легирования предпочтителен. Показано, что метод термомиграции обладает значительными преимуществами, в частности, возможностями снижения температуры процесса легирования, увеличения его скорости, повышения однородности распределения легирующей примеси и улучшает кристаллическое совершенство легированных слоёв. Количественные оценки, связанные с выявленными условиями, даны на примере системы алюминий – кремний
УДК548.523.001.57:621.315.592
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ С ЗАДАННОЙ СУБСТРУКТУРОЙ В ГРАДИЕНТНОМ ТЕПЛОВОМ ПОЛЕ / В.Н. Лозовский [и др.] // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки .— 2015 .— №3 .— С. 111-117 .— URL: https://rucont.ru/efd/520234 (дата обращения: 02.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

№ 3 УДК 548.523.001.57:621.315.592 DOI: 10.17213/0321-2653-2015-3-108-114 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ С ЗАДАННОЙ СУБСТРУКТУРОЙ В ГРАДИЕНТНОМ ТЕПЛОВОМ ПОЛЕ PHYSICAL BASES OF THE SEMICONDUCTOR MATERIALS FORMATION PROCESSES OF OF WITH THE SET SUBSTRUCTURE IN THE GRADIENT THERMAL FIELD  2015 г. В.Н. Лозовский, Б.М. Середин, В.А. Благин, В.В. Ануфриева, А.А. Баранник, М.Л. Лунина Лозовский Владимир Николаевич – д-р физ.-мат. наук, профессор, кафедра «Нанотехнология в электронике», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. <...> E-mail: seredinboris@gmail.com Благин Вячеслав Анатольевич – студент магистратуры по направлению «Техническая физика», Национальный исследовательский университет (МЭИ), г. Москва, Россия. <...> E-mail: Fizika236-npi@mail.ru Seredin Boris Mikhailovich – Candidate of Technical Sciences, assistant professor, department «Physics», Platov SouthRussian State Polytechnic University (NPI), Novocherkassk, Russia. <...> E-mail: seredinboris@gmail.com Blagin Vyacheslav Anatoliyevich – magistracy student in the Technical Physics direction of National Research University «Moscow Power Institute», Moscow, Russia. <...> E-mail: Fizika236-npi@mail.ru Barannik Aleksey Anatoliyevich – Candidate of Technical Sciences, assistant professor, department «Physics and microelectronics», Volgodonsk Technical Institute – National Research Nuclear University branch, Volgodonsk, Russia. <...> E-mail: Fizika236-npi@mail.ru Осуществлен анализ особенностей процесса термомиграции жидких зон в кристалле для формирования полупроводниковых материалов с заданной субструктурой, в сравнении с методом диффузии. <...> Учтены главные факторы, определяющие и сопровождающие процесс термомиграции жидкого включения в кристалле. <...> Выявлены и описаны геометрические, концентрационные, температурновременные и другие условия, при которых выбор эффекта термомиграции в качестве метода локального легирования предпочтителен. <...> Показано, что метод термомиграции обладает значительными преимуществами, в частности, возможностями снижения температуры процесса легирования, увеличения его скорости, повышения однородности распределения легирующей примеси и улучшает кристаллическое совершенство легированных слоёв. <...> № 3 In work the analysis of process features of liquid zones <...>

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически
Антиплагиат система на базе ИИ