УДК 621.315.592:669.049.44 ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИЧИН НЕВОСПРОИЗВОДИМОГО ФОРМИРОВАНИЯ ДИСКРЕТНЫХ ЗОН ИЗБИРАТЕЛЬНЫМ СМАЧИВАНИЕМ 2014 г. Л.М. Середин, Б.М. Середин, С.Ю. Князев Середин Лев Михайлович – канд. техн. наук, доцент, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. <...> E-mail: Ksy@donpac.ru Seredin Lev Mikhailovich – Candidate of Technical Sciences, assistant professor, department «Physics», Platov SouthRussian State Polytechnic University (NPI). <...> E-mail: movebase@mail.ru Seredin Boris Mikhailovich – Candidate of Technical Sciences, assistant professor, department «Physics», Platov SouthRussian State Polytechnic University (NPI). <...> E-mail: Ksy@donpac.ru Выявлены причины невоспроизводимого формирования тонких (30-50 мкм) дискретных зон растворителя избирательным смачиванием для процесса термомиграции. <...> Предложена и рассмотрена компьютерная модель процесса формирования Si-Al дискретных зон в кристалле, позволяющая найти подходы устранения дефектов при получении зон растворителя и разработать методику их качественного формирования. <...> The computer model the process of formation Si-Al discrete zones in crystal, which allows to find the ways of elimination of defects when receiving of solvent's zones and to create technique of their qualitative formation, has been offered and considered. <...> Формирование дискретных зон растворителя – наиболее важная и ответственная стадия процесса термомиграции [1], так как именно на этой стадии определяется форма и задаются линейные размеры жидкой фазы. <...> Избирательное смачивание, как лабораторный способ формирования зоны растворителя, известно [2] и позволяет получать дискретные зоны сложной геометрической формы при сохранении высокой чистоты зонообразующего материала. <...> Вместе с тем при промышленном использовании, в частности при получении силовых полупроводниковых приборов, способ в известном исполнении не лишен недостатка, проявляющегося в резком возрастании количества дефектов при уменьшении объема жидких зон и связанного с уменьшением линейных размеров зон в плоскости, параллельной поверхности кристалла. <...> Дефекты формирования жидких зон оказывают, соответственно, существенное влияние и на дальнейший <...>