№ 6 УДК 539.219.621 ТЕРМОМИГРАЦИЯ ВКЛЮЧЕНИЙ РАСПЛАВА В КРИСТАЛЛЕ: ДИНАМИЧЕСКИЙ ПОДХОД 2012 г. Л.С. Лунин*, М.Л. Лунина**, В.П. Попов*, Б.М. Середин*, С.Н. Ващенко* *Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) **Южный научный центр РАН *South-Russian State Technical University (Novocherkassk Polytechnic Institute) **South Scientific Center RAS Обсуждаются проблемы моделирования технологически значимых процессов градиентной жидкофазной эпитаксии. <...> К одной из важнейших задач технологии получения многокомпонентных полупроводников методом градиентной жидкофазной эпитаксии (ГЖЭ) относится исследование возможности управления составом и скоростью роста эпитаксиальных слоев, поскольку при этом обеспечивается высокое совершенство монокристаллических структур и заданные профили распределения компонентов по толщине эпитаксиальных слоев. <...> В этой связи весьма плодотворной является концепция моделирования процесса термомиграции жидких зон, основанного на динамическом формализме. <...> Рассмотрим кристаллизацию из плоского слоя раствора – расплава для анализа динамики термомиграции при ГЖЭ (рис. <...> Характерной особенностью ГЖЭ является возможность подпитки растущего слоя. <...> При этом протекает целый комплекс взаимосвязанных процессов: растворение подпитывающего источника, перенос вещества источника через зону и его кристаллизация на подложке, приводящие к движению жидкой зоны. <...> Как известно [3], кинетика кристаллизации в условиях ГЖЭ определяется необратимыми процессами массо- и теплопереноса вследствие микроскопических атомно-кинетических трансформаций на межфазных границах. <...> Схема композиции, распределение концентраций и потоки в жидкой двухкомпонентной зоне при ГЖЭ Решение дифференциальных уравнений диффузии и теплопроводности для движущейся тонкой зоны раствора – расплава позволяет сделать вывод о линейном распределении температуры и концентрации компонентов при условии υl<<D, которое для l <...>