№ 6 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ УДК 539.219.621 СУБСТРУКТУРЫ, СФОРМИРОВАННЫЕ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ ГЖЭ 2012 г. А.В. Благин, Н.П. Ефремова, В.П. Попов, Б.М. Середин Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) Обсуждаются результаты исследований процессов кристаллизации полупроводниковых элементов электронной техники с заданной субструктурой и электрофизическими свойствами. <...> В качестве практической реализации этой идеи предложена технологическая схема изготовления преобразователя и структура фотоэлектрогенератора. <...> Введение Условия технологического процесса Градиентная жидкофазная эпитаксия (ГЖЭ) является уникальным методом управления электрофизическими свойствами кристалла во всём его объёме [1]. <...> Использование локальных зон раствора – расплава на основе Ga, In, Sn – позволяет встраивать в подложку арсенида галлия сквозные каналы шириной 20 – 40 мкм или ячейки прямоугольного сечения заданного типа проводимости и состава. <...> Важным преимуществом ГЖЭ является возможность формирования в одном технологическом цикле субструктур с любым заданным количеством объёмных элементов. <...> Серию локальных зон в виде параллельных полос, ориентированных вдоль направления <110>, создавали протяжкой ванны раствора – расплава при температуре 1020 – 1120 К по поверхности подложки ориентации (100) с перфорированным защитным слоем нитрида кремния в протоке очищенного водорода. <...> Процесс ГЖЭ проводили при температуре 1150 – 1300 K и градиенте температуры ~ 30 K/см под избыточным давлением гелия ~ 510 Па в течение 3 – 6 ч (до полного выхода зон на тыльную сторону пластины). <...> Концентрационный профиль распределения примеси в каналах измеряли методом фотолюминесценции с помощью лазерного зонда. <...> Кристаллическое совершенство структур оценивали по плотности дислокаций <...>