315.592 ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ А3В5 2011 г. А.В. Благин*, И.А. Сысоев**, М.Л. Лунина**, Д.А. Гусев*, И.С. Шошиашвили* *Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института) **Южный научный центр РАН, лаборатория солнечной энергетики, Ставрополь *Institute of South-Russian State Technical University (Novocherkassk Polytechnic Institute), Volgodonsk ** South Scientific Center RAS, Stavropol Процесс образования пленки в результате ионно-лучевого осаждения представлен как базовый элемент технологии получения наноструктур нового типа – островковых многокомпонентных ультратонких слоев. <...> Обсуждаются конструкция технологической установки и особенности формирования наноразмерных плёнок твердого раствора GaInPAs. <...> Приведены результаты электронно-микроскопического анализа и исследования фотолюминесцентных свойств полученных структур. <...> The construction of the technological installation and the peculiarities of forming nanosised films of the tough solution of GaInPAs are being discussed. <...> Спектр возможностей формирования полупроводниковых наноструктур пока весьма ограничен. <...> Наиболее распространенными и эффективными методами являются молекулярно-пучковая эпитаксия и газофазная эпитаксия на основе гидридов металлоорганических соединений, однако стоимость этих технологий довольна высока. <...> Перспективным решением, на наш взгляд, в настоящее время является технология ионнолучевого осаждения. <...> Согласно предварительному анализу, она гораздо дешевле по сравнению с молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксией; ее возможности довольно широки и недостаточно изучены [1]. <...> С помощью ионно-лучевого осаждения (ИЛО) можно получать как металлические пленки, так и диэлектрические слои, и полупроводниковые эпитаксиальные пленки в одной технологической камере, что в итоге значительно увеличивает количество годных изделий и уменьшает время технологического процесса. <...> Установка ионно-лучевого <...>