Прикладная физика, 2016, № 5 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.315.592 Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов В работе проведено исследование специфики формирования и эволюции электрически активных радиационных дефектов при имплантации ионов бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe с различным составом в области внедрения имплантанта. <...> Эпитаксиальные пленки, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучались ионами бора с энергией 100 кэВ в диапазоне флюенса 1012—1015 см-2. <...> Измерение электрофизических параметров образцов до и после облучения производилось методом ЭДС Холла в конфигурации Ван-дер-Пау. <...> Распределение объемной концентрации электронов по глубине облученного материала определялось методом дифференциальных холловских измерений. <...> Полученные экспериментальные данные однозначно показывают, что результаты ионной имплантации определяются зависимостью динамики накопления электрически активных радиационных дефектов и электрофизических свойств материала от состава КРТ. <...> Ac, 73.61Ga Ключевые слова: теллурид кадмия ртути, эпитаксиальные пленки, имплантация, радиационное дефектообразование, электрофизические параметры. <...> Введение В настоящее время гетероэпитаксиальные структуры Hg1-xCdxTe (КРТ), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), явМихайлов Николай Николаевич, старший научный сотрудник3. <...> E-mail: dvor@isp.nsc.ru; mikhailov@isp.nsc.ru Статья поступила в редакцию 8 июня 2016 г. © Войцеховский А. В., Григорьев Д. В., Коханенко А. П., Коротаев А. Г., Ижнин И. И., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., 2016 27 ляются наиболее перспективным материалом для создания многоэлементных полупроводниковых детекторов ИК-излучения, обеспечивающих обработку сигнала непосредственно в фокальной области [1]. <...> Одним из основных применяемых технологических методов <...>