Силовая электроника, № 5’2016 Силовая элементная база Преимущества замены IGBT на SiC-модули в силовых сборках В последние годы карбидокремниевые (SiC)MOSFET с рабочим напряжением 1,2 и 1,7 кВ стали реальной альтернативой для проектировщиков силовых конвертеров, в настоящее время использующих транзисторы IGBT. <...> На сегодня большинство «побед» SiC MOSFET принадлежит маломощным преобразователям в диапазоне до 20 кВт, разрабатываемым «с чистого листа». <...> В первую очередь эта тенденция обусловлена необходимостью повышения эффективности фотоэлектрических преобразователей и других промышленных устройств силовой электроники. <...> Джон Мооккен (John Mookken) Перевод: Евгений Карташев Валерия Смирнова cree@macrogroup.ru С пециалисты начали применять коммерчески доступные мощные All-SiC силовые модули и драйверы (рис. <...> 1) как для модернизации существующих систем на основе Si IGBT, так и при разработке новых конструкций, специально адаптированных для максимально эффективного использования преимуществ новых SiC-приборов, позволяющих создавать компактные и более эффективные преобразователи энергии. <...> Замена Si IGBT на SiC в силовых сборках Преимущества SiC, как материала, перед Si в силовых приборах хорошо изучены и не требуют дальнейшего анализа [1, 2]. <...> Таким образом, наши усилия будут сосредоточены на применении All-SiC модулей в мощных преобразовательных системах. <...> Выпускаемая серийно сборка на основе 62-мм модулей Si-IGBT (1200 В/400 А), содержащая конденсаторы звена постоянного тока, радиатор и вентилятор системы принудительного воздушного охлаждения, плату управления с устройством защиты, а также датчики, была выбрана для переделки на карбидокремниевые ключи и испытаний для оценки улучшения производительности. <...> Ее основные технические характеристики представлены на рис. <...> При номинальной справочной выходной мощности 140 кВт (ток 200 Аrms) на частоте переключения Fsw 3 кГц, эта 200-А сборка является самой маленькой в семействе. <...> Мощные AllSiC модули 12го и 17го класса <...>