УДК 621.3.049.77 МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОРМИРОВАНИЯ КАНАЛЬНОГО СЛОЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОЩНОГО СВЧ ПОЛЕВОГО КАРБИД КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРАШОТТКИ М. И. <...> Кожевников1 1 — Научно-исследовательский институт электронной техники, 2 — Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 01.02.2015 г. Аннотация: проведено моделирование зависимости порогового напряжения, сопротивления канала, тока насыщение и крутизны полевого транзистора с затворомШоттки от толщины и уровня легирования канального эпитаксиального слоя. <...> Ключевые слова: полевой транзистор с затвором Шоттки, карбид кремния, моделирование полупроводниковых приборов. <...> SIMULATION OF INFLUENCE TECHNOLOGICAL PARAMETERS OF CHANNEL LAYER AT ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SIC HIGH POWER RF MESFET M. <...> ВВЕДЕНИЕ В настоящее время широкое распространение получили транзисторы, созданные на основе карбида кремния. <...> Обладая фундаментальными преимуществами, по сравнению с кремниевыми, они позволяют получать ранее недоступные параметры, а так же расширять возможные области применения элементной базы. <...> Одним из основных типов транзисторов на основе карбида кремния является полевой транзистор с затвором Шоттки (ПТШ). <...> Данный тип проборов создается на эпитаксиальных структурах карбида кремния, сформированных на полуизолирующей подложке карбида кремния с высоким удельным сопротивлением порядка 109 Ом·см. Эпитаксиальная структура, в общем случае, содержит буферный слой p-типа проводимости, канальный слой n-типа проводимости и высоколегированный слой n+ типа для формирования омических контактов к областям стока и истока [2], [3]. <...> Одной из актуальных задач при разработке ПТШ Черных М. И., Цоцорин А. Н., Кожевников В. А., 2015 c ВЕСТНИК ВГУ. <...> № 2 55 М. И. Черных, А. Н. Цоцорин, В. А. Кожевников является моделирование влияния параметров канального слоя, как основного активного слоя структуры, на электрические характеристики ПТШ. <...> МОДЕЛИРОВАНИЕ Типичная транзисторная структура ПТШпредставлена <...>