Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635050)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика  / №1 2014

ИЗМЕРЕНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ ПЛОТНОСТИ ПРИМЕСНЫХ СОСТОЯНИЙ СУЛЬФИДА КАДМИЯ МЕТОДОМ ФОТОДЕПОЛЯРИЗАЦИИ (90,00 руб.)

0   0
Первый авторКотко
Страниц8
ID511879
Аннотацияизложен способ обработки экспериментальных результатов, получаемых при измерении тока фотодеполяризации, с целью повышения отношения сигнал-шум. Показано, что эти шумы являются периодическими и имеют несколько периодов. Предложен способ определения частот и амплитуд паразитных сигналов и их устранения. Обработанные таким способом экспериментальные результаты имеют существенно меньшую ошибку и дали возможность получить новые данные относительно спектральной плотности примесных состояний поликристаллического сульфида кадмия
УДК535.37.543.42.4
Котко, А.С. ИЗМЕРЕНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ ПЛОТНОСТИ ПРИМЕСНЫХ СОСТОЯНИЙ СУЛЬФИДА КАДМИЯ МЕТОДОМ ФОТОДЕПОЛЯРИЗАЦИИ / А.С. Котко // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2014 .— №1 .— С. 23-30 .— URL: https://rucont.ru/efd/511879 (дата обращения: 06.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Котко Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 01.02.2014 г. Аннотация: изложен способ обработки экспериментальных результатов, получаемых при измерении тока фотодеполяризации, с целью повышения отношения сигнал-шум. <...> Предложен способ определения частот и амплитуд паразитных сигналов и их устранения. <...> Обработанные таким способом экспериментальные результаты имеют существенно меньшую ошибку и дали возможность получить новые данные относительно спектральной плотности примесных состояний поликристаллического сульфида кадмия. <...> Ключевые слова: широкозонный полупроводник, низкотемпературная фотодеполяризация, сульфид кадмия, фотоэлектрет, локализованные заряды, примесные состояния. <...> Keywords: wide bandgap semiconductor, low temperature photodepolarisation, CdS, photoelectret, localized charges, impurity states. <...> ВВЕДЕНИЕ Примесные состояния широкозонных кристаллов определяют многие их физические свойства, которые широко используются в оптоэлектронике, в люминесцентных и лазерных источниках света, сенсибилизации приёмников и преобразователей световой энергии, химическом катализе, а также во многих других областях науки и техники [1], [2]. <...> Измерение спектральной плотности примесных состояний во всех этих случаях крайне важно. <...> Однако не все они эффективны с точки зрения изучения электронных и дырочных ловушек по всей запрещённой зоне. <...> Так тщательно разработанный и часто применяемый для исследования глубоких электронных состояний метод фотостимулированной вспышки люминесценции [3], [4] работает только для уровней, расположенных либо выше уровней центров люминесценции в случае механизмаШёна-Класенса, либо ниже их в случае механизма Ламбе-Клика [5], [6]. <...> Этот метод позволил, например, исследовать низкотемпературный фотохимический процесс в галогенидах серебра, который другими способами исследовать трудно, а также физические свойства адсорбированных малоатомных кластеров серебра [7]–[11]. <...> Правда, в работах [12], [13] разработана модификация <...>