УДК 538.915 ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕГО ДАВЛЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ ОБЪЁМНОГО КРИСТАЛЛА И НАНОПЛЕНОК БОРА О. И. <...> Дубровский, М. Д. Манякин Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 04.02.2013 г. Аннотация: электронная структура объёмного кристалла бора теоретически исследована с помощью программного пакета Wien2k в рамках метода линеаризованных присоединенных плоских волн. <...> Для расчета наноплёнок, состоящих из 9 атомных слоёв, использовалась пленочная модификация метода ЛППВ. <...> Вычислены полные и локальные парциальные плотности электронных состояний для кристаллографических модификаций бора, соответствующих различным значениям приложенного внешнего давления. <...> Показано, что влияние барической обработки на зонную структуру и спектральные характеристики в плёнках бора сказывается сильнее, чем в объёмных образцах. <...> Abstract: electronic structure of boron bulk crystal has been theoretically investigated by the WIEN2k package in the network of the linearized augmented plane-wave method. <...> Total and local partial densities of electronic states for crystallographic modifications of boron, corresponding to several values of applied external pressure, have been obtained. <...> It has been indicated that influence of pressure-field treatment on the band structure and spectral characteristics is more significant for the boron films than for bulk specimens. <...> ВВЕДЕНИЕ Бор имеет наиболее удивительную комбинацию физико-химических свойств среди других простых веществ: низкая плотность, высокие твердость, прочность, химическая и термическая стабильность. <...> Кроме того, оказалось, что при приложении внешнего давления элементарный бор становится сверхпроводником с критической температурой до 11 K при ∼ 250 ГПа [1], что вызвало новый всплеск интереса к изучению его электронного строения. <...> В данной работе было проведено моделирование влияния барической обработки на электронную структуру монокристаллического объёмного бора, а также его наноплёнок. <...> МЕТОД И ДЕТАЛИ РАСЧЕТА Как известно, при нормальном давлении бор имеет ромбоэдрическую структуру α12B (пространственная группа R¯ 3m, параметры решетки a = b = c = 9.56 а.е., ромбоэдрические углы α = β = γ = 58.06˚ [2]). <...> Согласно <...>